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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.1A（Ta） 2W（Ta） SOT-223
  
  型号：ZXMN6A11GTA
  仓库库存编号：ZXMN6A11GCT-ND
  别名：ZXMN6A11GCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Ta）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 3.1A 0402
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.1A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
  
  型号：CSD17381F4T
  仓库库存编号：296-37780-1-ND
  别名：296-37780-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Ta）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.1A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2343DS-T1-E3
  仓库库存编号：SI2343DS-T1-E3CT-ND
  别名：SI2343DS-T1-E3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Ta）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.1A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
  
  型号：IRLL024NTRPBF
  仓库库存编号：IRLL024NPBFCT-ND
  别名：*IRLL024NTRPBF
  IRLL024NPBFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Ta）,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 20V SC-74
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.1A（Ta） 530mW（Ta）, 4.46W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：PMN70XPX
  仓库库存编号：1727-2701-1-ND
  别名：1727-2701-1
  568-13220-1
  568-13220-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Ta）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 3.1A（Ta） 750mW（Ta）
  
  型号：SI2343DS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2343DS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2343DS-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Ta）,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET ARRAY 2NCH 30V DFN2020D-6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.1A (Ta) 485mW (Ta) Surface Mount DFN2020D-6
  
  型号：PMDPB56XNEAX
  仓库库存编号：1727-2690-1-ND
  别名：1727-2690-1
  568-13209-1
  568-13209-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 3.1A TSOT26
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.1A（Ta） 1.15W（Ta） TSOT-23-6
  
  型号：DMP3105LVT-7
  仓库库存编号：DMP3105LVT-7DICT-ND
  别名：DMP3105LVT-7DICT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.1A（Ta） 1.4W（Tj） 6-MicroFET（2x2）
  
  型号：FDFMA2P029Z
  仓库库存编号：FDFMA2P029ZCT-ND
  别名：FDFMA2P029ZCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Ta）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V TO-236AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.1A（Ta） 478mW（Ta）, 8.36W（Tc） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：PMV55ENEAR
  仓库库存编号：1727-2534-1-ND
  别名：1727-2534-1
  568-12973-1
  568-12973-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET PCH 20V 3.1A SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.1A（Ta） 780mW（Ta） SOT-23
  
  型号：DMP2170U-13
  仓库库存编号：DMP2170U-13-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET PCH 20V 3.1A SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.1A（Ta） 780mW（Ta） SOT-23
  
  型号：DMP2170U-7
  仓库库存编号：DMP2170U-7-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 2A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.1A（Ta） 6-TSOP
  
  型号：NVGS3443T1G
  仓库库存编号：NVGS3443T1G-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT-224
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 3.1A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
  
  型号：AUIRLL024NTR
  仓库库存编号：AUIRLL024NTR-ND
  别名：SP001518736
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 3.1A（Ta） 2W（Ta） SOT-223
  
  型号：ZXMN6A11GTC
  仓库库存编号：ZXMN6A11GTC-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 3.1A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2343DS-T1
  仓库库存编号：SI2343DS-T1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 3.1A SC-70-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 3.1A（Ta） 1W（Ta） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1406DH-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1406DH-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1406DH-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 3.1A 1206-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 3.1A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5449DC-T1-E3
  仓库库存编号：SI5449DC-T1-E3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 3.1A 1206-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 3.1A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5449DC-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5449DC-T1-GE3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Ta）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 75V 3.1A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 3.1A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4442
  仓库库存编号：AO4442-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 3.1A SC70-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 3.1A（Ta） 1W（Ta） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1406DH-T1-E3
  仓库库存编号：SI1406DH-T1-E3CT-ND
  别名：SI1406DH-T1-E3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Ta）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 3.1A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 3.1A（Ta） 380mW（Ta） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：PMV37EN,215
  仓库库存编号：568-10835-1-ND
  别名：568-10835-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 3.1A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
  
  型号：AUIRLL024N
  仓库库存编号：AUIRLL024N-ND
  别名：SP001521354
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Ta）,
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