规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 90A（Tc）,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(225)
分立半导体产品
(225)
筛选品牌
Diodes Incorporated (3)
Infineon Technologies (104)
IXYS (37)
Microsemi Corporation (3)
Nexperia USA Inc. (8)
NXP USA Inc. (2)
Fairchild/ON Semiconductor (9)
Renesas Electronics America (18)
STMicroelectronics (8)
Taiwan Semiconductor Corporation (3)
Toshiba Semiconductor and Storage (1)
Vishay Siliconix (28)
Cree/Wolfspeed (1)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 89W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN5R8-40YS,115
仓库库存编号：
1727-4634-1-ND
别名：1727-4634-1
568-5594-1
568-5594-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 90A（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 90A F7 8PWRFLAT
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 4.8W（Ta）, 94W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STL90N6F7
仓库库存编号：
497-15913-1-ND
别名：497-15913-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 90A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET P-CH 100V 90A TO-247
详细描述：通孔 P 沟道 90A（Tc） 462W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH90P10P
仓库库存编号：
IXTH90P10P-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 90A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET P-CH 200V 90A TO-264
详细描述：通孔 P 沟道 90A（Tc） 890W（Tc） TO-264（IXTK）
型号：
IXTK90P20P
仓库库存编号：
IXTK90P20P-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 90A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 250V 90A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 960W（Tc） TO-264（IXTK）
型号：
IXTK90N25L2
仓库库存编号：
IXTK90N25L2-ND
别名：622089
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 90A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 250V 90A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 960W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXTX90N25L2
仓库库存编号：
IXTX90N25L2-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 90A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 90A SOT227
详细描述：底座安装 N 沟道 90A（Tc） 1500W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN110N60P3
仓库库存编号：
IXFN110N60P3-ND
别名：625715
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 90A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 94W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD036N04L G
仓库库存编号：
IPD036N04L GCT-ND
别名：IPD036N04L GCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 90A（Tc）,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 90A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 158W（Tc） DPAK
型号：
BUK625R0-40C,118
仓库库存编号：
1727-5434-1-ND
别名：1727-5434-1
568-6901-1
568-6901-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 90A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 90A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3-313
型号：
IPD90P04P4L04ATMA1
仓库库存编号：
IPD90P04P4L04ATMA1CT-ND
别名：IPD90P04P4L04ATMA1CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 90A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 114W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC070N10NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC070N10NS3GATMA1CT-ND
别名：BSC070N10NS3 GCT
BSC070N10NS3 GCT-ND
BSC070N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 90A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 90A（Tc） 137W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD90P03P4L04ATMA1
仓库库存编号：
IPD90P03P4L04ATMA1CT-ND
别名：IPD90P03P4L-04INCT
IPD90P03P4L-04INCT-ND
IPD90P03P4L04ATMA1CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 90A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD053N08N3GATMA1
仓库库存编号：
IPD053N08N3GATMA1CT-ND
别名：IPD053N08N3GATMA1CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 90A（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 90A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 3.75W（Ta），272W（Tc） TO-220AB
型号：
SUP90N06-6M0P-E3
仓库库存编号：
SUP90N06-6M0P-E3-ND
别名：SUP90N06-6M0P-E3CT
SUP90N06-6M0P-E3CT-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 90A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 90A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 310W（Tc） TO-247AC
型号：
IRFP2907ZPBF
仓库库存编号：
IRFP2907ZPBF-ND
别名：*IRFP2907ZPBF
SP001571048
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 90A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET P-CH 100V 90A TO-268
详细描述：表面贴装 P 沟道 90A（Tc） 462W（Tc） TO-268
型号：
IXTT90P10P
仓库库存编号：
IXTT90P10P-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 90A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET P-CH 200V 90A PLUS247
详细描述：通孔 P 沟道 90A（Tc） 890W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXTX90P20P
仓库库存编号：
IXTX90P20P-ND
别名：620108
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 90A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V 90A TO-264AA
详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 500W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK90N20
仓库库存编号：
IXFK90N20-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 90A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 94W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD90N03S4L03ATMA1
仓库库存编号：
IPD90N03S4L03ATMA1CT-ND
别名：IPD90N03S4L-03INCT
IPD90N03S4L-03INCT-ND
IPD90N03S4L03ATMA1CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 90A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 79W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD040N03LGATMA1
仓库库存编号：
IPD040N03LGATMA1CT-ND
别名：IPD040N03LGINCT
IPD040N03LGINCT-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 90A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD90N03S4L-02
仓库库存编号：
IPD90N03S4L-02CT-ND
别名：IPD90N03S4L-02CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 90A（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 90A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 10W（Ta），83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SUD50N03-06AP-E3
仓库库存编号：
SUD50N03-06AP-E3CT-ND
别名：SUD50N03-06AP-E3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 90A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 90A（Tc） 137W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD90P03P404ATMA1
仓库库存编号：
IPD90P03P404ATMA1CT-ND
别名：IPD90P03P4-04INCT
IPD90P03P4-04INCT-ND
IPD90P03P404ATMA1CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 90A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB034N06L3 G
仓库库存编号：
IPB034N06L3 GCT-ND
别名：IPB034N06L3 GCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 90A（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 200W（Tc） H2PAK
型号：
STH140N8F7-2
仓库库存编号：
497-14534-1-ND
别名：497-14534-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 90A（Tc）,
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
8
9
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
