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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 59A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 59A（Tc） 89W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN012-60YS,115
  仓库库存编号：1727-4288-1-ND
  别名：1727-4288-1
  568-4977-1
  568-4977-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 59A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 59A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 59A（Tc） 94W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD122N10N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD122N10N3GATMA1CT-ND
  别名：IPD122N10N3GATMA1CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 59A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 300V 59A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 59A（Tc） 500W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FDA59N30
  仓库库存编号：FDA59N30-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 59A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 59A（Tc） 160W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF3710ZPBF
  仓库库存编号：IRF3710ZPBF-ND
  别名：*IRF3710ZPBF
  SP001564400
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 59A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 59A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB59N10DPBF
  仓库库存编号：IRFB59N10DPBF-ND
  别名：*IRFB59N10DPBF
  SP001560232
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 59A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 59A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 59A（Tc） 392W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FDA59N25
  仓库库存编号：FDA59N25-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 59A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 59A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS59N10DPBF
  仓库库存编号：IRFS59N10DPBF-ND
  别名：*IRFS59N10DPBF
  SP001571716
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 59A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 59A（Tc） 160W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRF3710ZS
  仓库库存编号：AUIRF3710ZS-ND
  别名：SP001522564
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 59A（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 59A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 59A（Tc） 75W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK9Y11-30B,115
  仓库库存编号：1727-4939-1-ND
  别名：1727-4939-1
  568-6233-1
  568-6233-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 59A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 59A（Tc） 160W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3710ZSTRLPBF
  仓库库存编号：IRF3710ZSTRLPBFCT-ND
  别名：IRF3710ZSTRLPBFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 59A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 59A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 59A（Tc） 160W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF3710ZLPBF
  仓库库存编号：IRF3710ZLPBF-ND
  别名：*IRF3710ZLPBF
  SP001571360
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 59A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 59A（Tc） 160W（Tc） TO-220AB
  
  型号：AUIRF3710Z
  仓库库存编号：AUIRF3710Z-ND
  别名：SP001522092
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 59A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 900V 59A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 900V 59A（Tc） 462W（Tc） SP1
  
  型号：APTC90SKM60T1G
  仓库库存编号：APTC90SKM60T1G-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 59A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 900V 59A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 900V 59A（Tc） 462W（Tc） SP1
  
  型号：APTC90DAM60T1G
  仓库库存编号：APTC90DAM60T1G-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 59A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 900V 59A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 900V 59A（Tc） 462W（Tc） SP1
  
  型号：APTC90DAM60CT1G
  仓库库存编号：APTC90DAM60CT1G-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 59A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 900V 59A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 900V 59A（Tc） 462W（Tc） SP1
  
  型号：APTC90SKM60CT1G
  仓库库存编号：APTC90SKM60CT1G-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 59A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 59A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 59A（Tc） 57W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3707ZSTRLPBF
  仓库库存编号：IRF3707ZSTRLPBF-ND
  别名：SP001563142
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 59A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 59A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 59A（Tc） 99W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB7746PBF
  仓库库存编号：IRFB7746PBF-ND
  别名：SP001556090
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 59A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 59A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS59N10DTRLP
  仓库库存编号：IRFS59N10DTRLP-ND
  别名：SP001557452
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 59A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 59A（Tc） 160W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRF3710ZSTRL
  仓库库存编号：AUIRF3710ZSTRL-ND
  别名：SP001519476
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 59A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 59A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 59A（Tc） 130W（Tc） TO-220AB
  
  型号：HUF76432P3
  仓库库存编号：HUF76432P3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 59A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 59A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 59A（Tc） 130W（Tc） TO-220AB
  
  型号：HUFA76432P3
  仓库库存编号：HUFA76432P3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 59A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 59A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 59A（Tc） 130W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUFA76432S3S
  仓库库存编号：HUFA76432S3S-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 59A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 59A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 59A（Tc） 130W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUFA76432S3ST
  仓库库存编号：HUFA76432S3ST-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 59A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 59A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 59A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL59N10D
  仓库库存编号：IRFSL59N10D-ND
  别名：*IRFSL59N10D
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 59A（Tc）,
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