规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.7A(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.7A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) D-Pak
型号:
FQD5P20TM
仓库库存编号:
FQD5P20TMCT-ND
别名:FQD5P20TMCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.7A(Tc),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 1700V 3.7A
详细描述:通孔 N 沟道 3.7A(Tc) 35W(Tc) TO-3PFM
型号:
SCT2H12NZGC11
仓库库存编号:
SCT2H12NZGC11-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.7A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 3.7A 1206-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.7A(Tc) 1.3W(Ta),2.8W(Tc) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5855CDC-T1-E3
仓库库存编号:
SI5855CDC-T1-E3CT-ND
别名:SI5855CDC-T1-E3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.7A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.7A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 3.7A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI730GPBF
仓库库存编号:
IRFI730GPBF-ND
别名:*IRFI730GPBF
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.7A(Tc),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 501V 650V TO252 T&
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 3.7A(Tc) 48W(Ta) TO-252
型号:
DMG4N60SK3-13
仓库库存编号:
DMG4N60SK3-13DICT-ND
别名:DMG4N60SK3-13DICT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.7A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.7A(Tc) 62.5W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
FDD5N50NZFTM
仓库库存编号:
FDD5N50NZFTMCT-ND
别名:FDD5N50NZFTMCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.7A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 3.7A IPAK
详细描述:通孔 P 沟道 3.7A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) I-Pak
型号:
FQU5P20TU
仓库库存编号:
FQU5P20TU-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.7A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 600V 3.7A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.7A(Tc) 5W(Tc) PG-SOT223
型号:
IPN60R2K1CEATMA1
仓库库存编号:
IPN60R2K1CEATMA1CT-ND
别名:IPN60R2K1CEATMA1CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.7A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 3.7A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 3.7A(Tc) 25.7W(Tc) TO-220 整包
型号:
IPA50R950CEXKSA2
仓库库存编号:
IPA50R950CEXKSA2-ND
别名:SP001217236
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.7A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 3.7A(Tc) 45W(Tc) TO-220
型号:
STP5N60M2
仓库库存编号:
497-14282-5-ND
别名:497-14282-5
STP5N60M2-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.7A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 3.7A(Tc) 45W(Tc) TO-220
型号:
STU5N60M2
仓库库存编号:
497-14224-5-ND
别名:497-14224-5
STU5N60M2-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.7A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 3.7A(Tc) 20W(Tc) TO-220FP
型号:
STF5N60M2
仓库库存编号:
497-14273-5-ND
别名:497-14273-5
STF5N60M2-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.7A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.7A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 400V 3.7A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI730G
仓库库存编号:
IRFI730G-ND
别名:*IRFI730G
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.7A(Tc),
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 3.7A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) D-Pak
型号:
FQD5P20TF
仓库库存编号:
FQD5P20TF-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.7A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 3.7A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) D-Pak
型号:
FQD5P20TM_F080
仓库库存编号:
FQD5P20TM_F080-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.7A(Tc),
无铅
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