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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 27A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 27A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF6201TRPBF
  仓库库存编号：IRF6201TRPBFCT-ND
  别名：IRF6201TRPBFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 27A（Ta）,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 27A（Ta） 36W（Tc） ATPAK
  
  型号：NVATS4A101PZT4G
  仓库库存编号：NVATS4A101PZT4G-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 27A（Ta）,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 27A（Ta） 48W（Tc） ATPAK
  
  型号：NVATS5A112PLZT4G
  仓库库存编号：NVATS5A112PLZT4G-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 27A（Ta）,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 27A（Ta） 88.2W（Tc） D2PAK
  
  型号：NTB30N06T4
  仓库库存编号：NTB30N06T4OS-ND
  别名：NTB30N06T4OS
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 27A（Ta）,
• 含铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 27A（Ta） 88.2W（Tc） D2PAK
  
  型号：NTB27N06LT4
  仓库库存编号：NTB27N06LT4OS-ND
  别名：NTB27N06LT4OS
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 27A（Ta）,
• 含铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 27A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 27A（Ta） 88.2W（Tc） TO-220AB
  
  型号：NTP27N06L
  仓库库存编号：NTP27N06LOS-ND
  别名：NTP27N06LOS
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 27A（Ta）,
• 含铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 27A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 27A（Ta） 88.2W（Tc） TO-220AB
  
  型号：NTP27N06
  仓库库存编号：NTP27N06OS-ND
  别名：NTP27N06OS
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 27A（Ta）,
• 含铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 27A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 27A（Ta） 88.2W（Tc） TO-220AB
  
  型号：NTP30N06
  仓库库存编号：NTP30N06OS-ND
  别名：NTP30N06OS
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 27A（Ta）,
• 含铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 27A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 27A（Ta） 88.2W（Tc） TO-220AB
  
  型号：NTP27N06G
  仓库库存编号：NTP27N06GOS-ND
  别名：NTP27N06GOS
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 27A（Ta）,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 27A（Ta） 88.2W（Tc） D2PAK
  
  型号：NTB30N06G
  仓库库存编号：NTB30N06G-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 27A（Ta）,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 27A（Ta） 88.2W（Tc） D2PAK
  
  型号：NTB30N06T4G
  仓库库存编号：NTB30N06T4G-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 27A（Ta）,
• 无铅
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 27A SOP-8 ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 27A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8005-H(TE12LQM
  仓库库存编号：TPCA8005-H(TE12LQM-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 27A（Ta）,
• 无铅
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 27A SOP-8 ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 27A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8021-H(TE12LQM
  仓库库存编号：TPCA8021-H(TE12LQM-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 27A（Ta）,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 27A SMP-FD
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 27A（Ta） 1.65W（Ta），65W（Tc） SMP-FD
  
  型号：2SJ665-DL-E
  仓库库存编号：2SJ665-DL-E-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 27A（Ta）,
• 无铅
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 36V 27A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 36V 27A（Ta） 3.6W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4310
  仓库库存编号：785-1546-1-ND
  别名：785-1546-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 27A（Ta）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 27A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 27A（Ta） 200W（Tc） TO-3P
  
  型号：RJL6018DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJL6018DPK-00#T0-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 27A（Ta）,
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