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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 450V 0.6A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600mA（Tc） 3W（Ta） SOT-223
  
  型号：STN3N45K3
  仓库库存编号：497-10649-1-ND
  别名：497-10649-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 600mA（Tc）,
• 无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600mA（Tc） 42W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA06N120P
  仓库库存编号：IXTA06N120P-ND
  别名：617329
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 600mA（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  20 V, N-CHANNEL TRENCH MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 600mA（Tc） 2.7W（Tc） DFN1006-3
  
  型号：PMZ600UNELYL
  仓库库存编号：1727-2598-1-ND
  别名：1727-2598-1
  568-13057-1
  568-13057-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 600mA（Tc）,
• 无铅
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 600mA（Tc） 2.5W（Tc） SOT-223
  
  型号：TSM2N60SCW RPG
  仓库库存编号：TSM2N60SCW RPGTR-ND
  别名：TSM2N60SCW RPGTR
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 600mA（Tc）,
• 无铅
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 600mA（Tc） 2.5W（Tc） SOT-223
  
  型号：TSM2N60SCW RPG
  仓库库存编号：TSM2N60SCW RPGCT-ND
  别名：TSM2N60SCW RPGCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 600mA（Tc）,
• 无铅
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 600mA（Tc） 2.5W（Tc） SOT-223
  
  型号：TSM2N60SCW RPG
  仓库库存编号：TSM2N60SCW RPGDKR-ND
  别名：TSM2N60SCW RPGDKR
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 600mA（Tc）,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 450V 600MA TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 600mA（Tc） 3W（Tc） TO-92-3
  
  型号：STQ3N45K3-AP
  仓库库存编号：497-10969-1-ND
  别名：497-10969-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 600mA（Tc）,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 0.6A TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 600mA（Tc） 2.5W（Tc） TO-92-3
  
  型号：STQ2LN60K3-AP
  仓库库存编号：497-13391-1-ND
  别名：497-13391-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 600mA（Tc）,
• 无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 600MA TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600mA（Tc） 42W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP06N120P
  仓库库存编号：IXTP06N120P-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 600mA（Tc）,
• 无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 600mA（Tc） TO-251
  
  型号：IXTU06N120P
  仓库库存编号：IXTU06N120P-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 600mA（Tc）,
• 无铅
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