规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 26A（Tc）,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(96)
分立半导体产品
(96)
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 26A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 95W（Tc） PG-TO220-3
型号：
IPP60R120P7XKSA1
仓库库存编号：
IPP60R120P7XKSA1-ND
别名：SP001647028
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 26A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 26A TO247-3
详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 95W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW60R120P7XKSA1
仓库库存编号：
IPW60R120P7XKSA1-ND
别名：SP001658382
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 26A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A TO-263AA
详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Tc） 500W（Tc） TO-263（IXFA）
型号：
IXFA26N50P3
仓库库存编号：
IXFA26N50P3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 26A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET P-CH 200V 26A TO-3P
详细描述：通孔 P 沟道 26A（Tc） 300W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ26P20P
仓库库存编号：
IXTQ26P20P-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 26A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 500W（Tc） TO-3P
型号：
IXFQ26N50P3
仓库库存编号：
IXFQ26N50P3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 26A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 460W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH26N60P
仓库库存编号：
IXTH26N60P-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 26A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Tc） 400W（Tc） TO-268
型号：
IXTT26N50P
仓库库存编号：
IXTT26N50P-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 26A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 460W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ26N60P
仓库库存编号：
IXTQ26N60P-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 26A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3
详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Tc） 460W（Tc） TO-268
型号：
IXFT26N60P
仓库库存编号：
IXFT26N60P-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 26A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3
详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Tc） 460W（Tc） TO-268
型号：
IXTT26N60P
仓库库存编号：
IXTT26N60P-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 26A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 500V 26A（Tc） TO-3P
型号：
IXFQ26N50Q
仓库库存编号：
IXFQ26N50Q-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 26A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A TO-30
详细描述：通孔 N 沟道 500V 26A（Tc） TO-3P
型号：
IXFQ26N50
仓库库存编号：
IXFQ26N50-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 26A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 26A（Tc） 300W（Tc） TO-268
型号：
IXFT26N50Q
仓库库存编号：
IXFT26N50Q-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 26A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 26A（Tc） 300W（Tc） TO-268
型号：
IXFT26N50
仓库库存编号：
IXFT26N50-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 26A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 26A（Tc） 250W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR26N50
仓库库存编号：
IXFR26N50-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 26A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 600V 26A（Tc） 360W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK26N60Q
仓库库存编号：
IXFK26N60Q-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 26A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 26A（Tc） 360W（Tc） TO-268
型号：
IXFT26N60Q
仓库库存编号：
IXFT26N60Q-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 26A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 600V 26A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH26N60Q
仓库库存编号：
IXFH26N60Q-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 26A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A PLUS 247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 26A（Tc） 360W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX26N60Q
仓库库存编号：
IXFX26N60Q-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 26A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 900V 26A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 900V 26A（Tc） 560W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK26N90
仓库库存编号：
IXFK26N90-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 26A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 900V 26A PLUS 247
详细描述：通孔 N 沟道 900V 26A（Tc） 560W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX26N90
仓库库存编号：
IXFX26N90-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 26A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 26A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 26A（Tc） 780W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX26N100P
仓库库存编号：
IXFX26N100P-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 26A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 26A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 26A（Tc） 780W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK26N100P
仓库库存编号：
IXFK26N100P-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 26A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1200V 26A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 1200V 26A（Tc） 960W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX26N120P
仓库库存编号：
IXFX26N120P-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 26A（Tc）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 26A（Tc） 543W（Tc） SOT-227
型号：
APT26M100JCU2
仓库库存编号：
APT26M100JCU2-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 26A（Tc）,
无铅
搜索
1
2
3
4
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
