规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 61A(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V LFPAK33
详细描述:表面贴装 N 沟道 61A(Tc) 91W(Tc) LFPAK33
型号:
PSMN011-60MSX
仓库库存编号:
1727-1506-1-ND
别名:1727-1506-1
568-10986-1
568-10986-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 61A(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 61A LL LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 61A(Tc) 48W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN7R0-30YLC,115
仓库库存编号:
1727-5909-1-ND
别名:1727-5909-1
568-7589-1
568-7589-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 61A(Tc),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V LFPAK33
详细描述:表面贴装 N 沟道 61A(Tc) 91W(Tc) LFPAK33
型号:
PSMN011-60MLX
仓库库存编号:
1727-1505-1-ND
别名:1727-1505-1
568-10985-1
568-10985-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 61A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 61A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 61A(Tc) 700W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN64N50P
仓库库存编号:
IXFN64N50P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 61A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 61A(Tc) 87W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3708TRPBF
仓库库存编号:
IRFR3708TRPBFCT-ND
别名:IRFR3708TRPBFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 61A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 61A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 61A(Tc) 417W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP61N20
仓库库存编号:
FDP61N20-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 61A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 61A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 61A(Tc) 300W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP220N25NFDAKSA1
仓库库存编号:
IPP220N25NFDAKSA1-ND
别名:SP001108126
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 61A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 61A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 61A(Tc) 190W(Tc) D2PAK
型号:
STB80N20M5
仓库库存编号:
497-10705-1-ND
别名:497-10705-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 61A(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
PSMN6R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
详细描述:表面贴装 N 沟道 61A(Tc) 43W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN6R0-25YLDX
仓库库存编号:
1727-2500-1-ND
别名:1727-2500-1
568-12932-1
568-12932-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 61A(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 61A(Tc) 56W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM088NA03CR RLG
仓库库存编号:
TSM088NA03CR RLGTR-ND
别名:TSM088NA03CR RLGTR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 61A(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 61A(Tc) 56W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM088NA03CR RLG
仓库库存编号:
TSM088NA03CR RLGCT-ND
别名:TSM088NA03CR RLGCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 61A(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 61A(Tc) 56W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM088NA03CR RLG
仓库库存编号:
TSM088NA03CR RLGDKR-ND
别名:TSM088NA03CR RLGDKR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 61A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 61A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 61A(Tc) 140W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL4510PBF
仓库库存编号:
IRFSL4510PBF-ND
别名:SP001552374
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 61A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 61A(Tc) 140W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS4510TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS4510TRLPBFCT-ND
别名:IRFS4510TRLPBFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 61A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 61A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 61A(Tc) 91W(Tc) TO-220
型号:
AUIRFZ48Z
仓库库存编号:
AUIRFZ48Z-ND
别名:SP001516066
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 61A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 61A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 61A(Tc) 190W(Tc) TO-220AB
型号:
STP80N20M5
仓库库存编号:
497-10715-5-ND
别名:497-10715-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 61A(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 61A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 61A(Tc) 136W(Tc) D2PAK
型号:
BUK9618-55A,118
仓库库存编号:
568-9679-1-ND
别名:568-9679-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 61A(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 61A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 61A(Tc) 136W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK9518-55A,127
仓库库存编号:
568-9736-5-ND
别名:568-9736-5
934056811127
BUK9518-55A
BUK9518-55A,127-ND
BUK9518-55A-ND
BUK951855A127
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 61A(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 61A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 61A(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PH9030AL,115
仓库库存编号:
PH9030AL,115-ND
别名:934063092115
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 61A(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 61A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 61A(Tc) 46W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN9R0-30YL,115
仓库库存编号:
568-4687-1-ND
别名:568-4687-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 61A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 61A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 20V 61A(Tc) 89W(Tc) TO-262-3
型号:
IRL3102L
仓库库存编号:
IRL3102L-ND
别名:*IRL3102L
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 61A(Tc),
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 61A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 100V 61A(Tc) 190W(Tc) TO-3P
型号:
FQA55N10
仓库库存编号:
FQA55N10-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 61A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 30V 61A(Tc) 47W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRLI2203N
仓库库存编号:
IRLI2203N-ND
别名:*IRLI2203N
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 61A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 61A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 61A(Tc) 89W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3102
仓库库存编号:
IRL3102-ND
别名:*IRL3102
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 61A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 61A(Tc) 89W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3102S
仓库库存编号:
IRL3102S-ND
别名:*IRL3102S
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 61A(Tc),
含铅
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