规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Ta),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 16V 17A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4862DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4862DY-T1-E3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 16V 17A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4862DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4862DY-T1-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 17A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4864DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4864DY-T1-E3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 17A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4864DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4864DY-T1-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 17A(Ta) 2.1W(Ta) PG-TDSON-8
型号:
BSZ0589NSATMA1
仓库库存编号:
BSZ0589NSATMA1-ND
别名:SP001586396
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 17A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 17A(Ta) 2.5W(Ta),46W(Tc) DIRECTFET? M2
型号:
AUIRF7734M2TR
仓库库存编号:
AUIRF7734M2TR-ND
别名:SP001522286
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 17A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4336DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4336DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4336DY-T1-E3CT
SI4336DYT1E3
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 17A SOP8 2-6J1B
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 17A(Ta) 8-SOP(5.5x6.0)
型号:
TPC8033-H(TE12LQM)
仓库库存编号:
TPC8033-H(TE12LQM)-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 17A TO-3PB
详细描述:通孔 N 沟道 600V 17A(Ta) 2.5W(Ta),170W(Tc) TO-3PB
型号:
2SK4125
仓库库存编号:
869-1071-ND
别名:869-1071
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 17A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4320DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4320DY-T1-E3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 17A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4320DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4320DY-T1-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 12V 17A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4836DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4836DY-T1-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 12V 17A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4836DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4836DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4836DY-T1-E3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Ta),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 250V 17A TO3P
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 17A(Ta) 30W(Tc) 8-WPAK
型号:
RJK2555DPA-00#J0
仓库库存编号:
RJK2555DPA-00#J0-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Ta),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 250V 17A TO3P
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 17A(Ta) 30W(Tc) 8-WPAK
型号:
RJK2557DPA-00#J0
仓库库存编号:
RJK2557DPA-00#J0-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Ta),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 400V 17A LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 17A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
RJK4013DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJK4013DPE-00#J3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 17A
详细描述:通孔 N 沟道 600V 17A(Ta) 2.5W(Ta),170W(Tc) TO-3P-3L
型号:
2SK4125-1E
仓库库存编号:
2SK4125-1E-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Ta),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH WPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 17A(Ta) 30W(Tc) 8-WPAK
型号:
HAT2287WP-EL-E
仓库库存编号:
HAT2287WP-EL-E-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Ta),
无铅
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