规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Ta）,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 16V 17A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
型号：
SI4862DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4862DY-T1-E3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 16V 17A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
型号：
SI4862DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4862DY-T1-GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 17A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
型号：
SI4864DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4864DY-T1-E3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 17A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
型号：
SI4864DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4864DY-T1-GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 17A（Ta） 2.1W（Ta） PG-TDSON-8
型号：
BSZ0589NSATMA1
仓库库存编号：
BSZ0589NSATMA1-ND
别名：SP001586396
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 17A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 17A（Ta） 2.5W（Ta），46W（Tc） DIRECTFET? M2
型号：
AUIRF7734M2TR
仓库库存编号：
AUIRF7734M2TR-ND
别名：SP001522286
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 17A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
型号：
SI4336DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4336DY-T1-E3CT-ND
别名：SI4336DY-T1-E3CT
SI4336DYT1E3
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 17A SOP8 2-6J1B
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 17A（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
型号：
TPC8033-H(TE12LQM)
仓库库存编号：
TPC8033-H(TE12LQM)-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 17A TO-3PB
详细描述：通孔 N 沟道 600V 17A（Ta） 2.5W（Ta），170W（Tc） TO-3PB
型号：
2SK4125
仓库库存编号：
869-1071-ND
别名：869-1071
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 17A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
型号：
SI4320DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4320DY-T1-E3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 17A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
型号：
SI4320DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4320DY-T1-GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 12V 17A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
型号：
SI4836DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4836DY-T1-GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 12V 17A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
型号：
SI4836DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4836DY-T1-E3CT-ND
别名：SI4836DY-T1-E3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Ta）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 250V 17A TO3P
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 17A（Ta） 30W（Tc） 8-WPAK
型号：
RJK2555DPA-00#J0
仓库库存编号：
RJK2555DPA-00#J0-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Ta）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 250V 17A TO3P
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 17A（Ta） 30W（Tc） 8-WPAK
型号：
RJK2557DPA-00#J0
仓库库存编号：
RJK2557DPA-00#J0-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Ta）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 400V 17A LDPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 17A（Ta） 100W（Tc） 4-LDPAK
型号：
RJK4013DPE-00#J3
仓库库存编号：
RJK4013DPE-00#J3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 17A
详细描述：通孔 N 沟道 600V 17A（Ta） 2.5W（Ta），170W（Tc） TO-3P-3L
型号：
2SK4125-1E
仓库库存编号：
2SK4125-1E-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Ta）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH WPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 17A（Ta） 30W（Tc） 8-WPAK
型号：
HAT2287WP-EL-E
仓库库存编号：
HAT2287WP-EL-E-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Ta）,
无铅
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