以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 65W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD8447L_F085
  仓库库存编号：FDD8447L_F085CT-ND
  别名：FDD8447L_F085CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5.2W（Ta），69W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR464DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR464DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR464DP-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 2.5W（Ta），73.5W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD50P04-08-GE3
  仓库库存编号：SUD50P04-08-GE3CT-ND
  别名：SUD50P04-08-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 40V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 58W（Tc） DPAK
  
  型号：STD45P4LLF6AG
  仓库库存编号：497-15965-1-ND
  别名：497-15965-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5.2W（Ta），69W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR800DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR800DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR800DP-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 50A TO-252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 2.5W（Ta），113W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD50P06-15-GE3
  仓库库存编号：SUD50P06-15-GE3CT-ND
  别名：SUD50P06-15-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 80V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 8.3W（Ta），136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD50P08-25L-E3
  仓库库存编号：SUD50P08-25L-E3CT-ND
  别名：SUD50P08-25L-E3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 50A TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD50P04-09L-E3
  仓库库存编号：SUD50P04-09L-E3CT-ND
  别名：SUD50P04-09L-E3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 50A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD50N06-09L-E3
  仓库库存编号：SUD50N06-09L-E3CT-ND
  别名：SUD50N06-09L-E3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 50A TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 3W（Ta），100W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD50P04-15-E3
  仓库库存编号：SUD50P04-15-E3CT-ND
  别名：SUD50P04-15-E3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5.2W（Ta），69W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7790DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7790DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7790DP-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFZ44PBF
  仓库库存编号：IRFZ44PBF-ND
  别名：*IRFZ44PBF
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 50A
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 360W（Tc） TO-247
  
  型号：STW56N60DM2
  仓库库存编号：497-16341-5-ND
  别名：497-16341-5
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Transphorm
  GAN FET 650V 50A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 178W（Tc） TO-247
  
  型号：TPH3207WS
  仓库库存编号：TPH3207WS-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 50A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 50A（Tc） 1135W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN50N80Q2
  仓库库存编号：IXFN50N80Q2-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 4.8W（Ta），57W（Tc） PowerPAK? 1212-8S（3.3x3.3）
  
  型号：SISS27DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SISS27DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SISS27DN-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 4.8W（Ta），57W（Tc） PowerPAK? 1212-8S（3.3x3.3）
  
  型号：SISS23DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SISS23DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SISS23DN-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC110N06NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC110N06NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC110N06NS3 GCT
  BSC110N06NS3 GCT-ND
  BSC110N06NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 58W（Tc） PG-TO252-3-313
  
  型号：IPD50P04P4L11ATMA1
  仓库库存编号：IPD50P04P4L11ATMA1CT-ND
  别名：IPD50P04P4L-11CT
  IPD50P04P4L-11CT-ND
  IPD50P04P4L11ATMA1CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC076N06NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC076N06NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC076N06NS3 GCT
  BSC076N06NS3 GCT-ND
  BSC076N06NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD088N06N3 G
  仓库库存编号：IPD088N06N3 GCT-ND
  别名：IPD088N06N3 GCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 143W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR3636TRPBF
  仓库库存编号：IRLR3636TRPBFCT-ND
  别名：IRLR3636TRPBFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 50A TO-252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-5
  
  型号：SPD50P03L G
  仓库库存编号：SPD50P03LGINCT-ND
  别名：SPD50P03LGINCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 86W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN015-60PS,127
  仓库库存编号：1727-4656-ND
  别名：1727-4656
  568-5773
  568-5773-5
  568-5773-5-ND
  568-5773-ND
  934064328127
  PSMN015-60PS,127-ND
  PSMN01560PS127
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD200N15N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD200N15N3GATMA1CT-ND
  别名：IPD200N15N3GATMA1CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
• 无铅
• 搜索