以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 50A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50N10S3L16ATMA1
  仓库库存编号：IPD50N10S3L16ATMA1CT-ND
  别名：IPD50N10S3L-16CT
  IPD50N10S3L-16CT-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 50A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 50A（Tc） 79W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP084N06L3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP084N06L3GXKSA1-ND
  别名：IPP084N06L3 G
  IPP084N06L3 G-ND
  SP000680838
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 50A（Tc） 79W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：IPI084N06L3GXKSA1
  仓库库存编号：IPI084N06L3GXKSA1-ND
  别名：SP001065242
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 50A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 50A（Tc） 100W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI50N10S3L16AKSA1
  仓库库存编号：IPI50N10S3L16AKSA1-ND
  别名：IPI50N10S3L-16
  IPI50N10S3L-16-ND
  SP000407120
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 50A（Tc） 56W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP065N03LGXKSA1
  仓库库存编号：IPP065N03LGXKSA1-ND
  别名：IPP065N03L G
  IPP065N03LG
  IPP065N03LGIN
  IPP065N03LGIN-ND
  IPP065N03LGXK
  SP000254736
  SP000680818
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 50A（Tc） 83W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU06N03LAGXK
  仓库库存编号：IPU06N03LAGXK-ND
  别名：IPU06N03LA
  IPU06N03LA G
  IPU06N03LAGIN
  IPU06N03LAGIN-ND
  IPU06N03LAGX
  IPU06N03LAGXTIN
  IPU06N03LAGXTIN-ND
  IPU06N03LAIN
  IPU06N03LAIN-ND
  SP000017594
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 50A（Tc） 227W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB60R040C7ATMA1
  仓库库存编号：IPB60R040C7ATMA1-ND
  别名：SP001277610
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET IFX OPTIMOS TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 50A（Tc） 313W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRF300P227
  仓库库存编号：IRF300P227-ND
  别名：SP001582356
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 50A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 50A（Tc） 180W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP50NE10
  仓库库存编号：497-2644-5-ND
  别名：497-2644-5
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 50A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 50A（Tc） 280W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW50NB20
  仓库库存编号：497-2670-5-ND
  别名：497-2670-5
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 80V 50A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 50A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP50NE08
  仓库库存编号：497-2787-5-ND
  别名：497-2787-5
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 24V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24V 50A（Tc） 60W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD50NH02LT4
  仓库库存编号：497-2472-1-ND
  别名：497-2472-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 24V 50A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 24V 50A（Tc） 60W（Tc） I-Pak
  
  型号：STD50NH02L-1
  仓库库存编号：497-3519-5-ND
  别名：497-3519-5
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 12A 8-PWRSOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 3W（Ta），50W（Tc） 8-SOIC
  
  型号：STSJ50NH3LL
  仓库库存编号：497-4755-1-ND
  别名：497-4755-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 50A（Tc） 180W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB50NE10T4
  仓库库存编号：STB50NE10T4-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 50A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFZ40
  仓库库存编号：IRFZ40-ND
  别名：*IRFZ40
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 3.7W（Ta），150W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ44S
  仓库库存编号：IRFZ44S-ND
  别名：*IRFZ44S
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 3.7W（Ta），150W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ44STRR
  仓库库存编号：IRFZ44STRR-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 50A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRLZ44
  仓库库存编号：IRLZ44-ND
  别名：*IRLZ44
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 3.7W（Ta），150W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRLZ44S
  仓库库存编号：IRLZ44S-ND
  别名：*IRLZ44S
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 3.7W（Ta），150W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRLZ44STRR
  仓库库存编号：IRLZ44STRR-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 50A（Tc） 190W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFZ48R
  仓库库存编号：IRFZ48R-ND
  别名：*IRFZ48R
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 50A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 50A（Tc） 3.7W（Ta），150W（Tc） TO-262-3
  
  型号：IRFZ44L
  仓库库存编号：IRFZ44L-ND
  别名：*IRFZ44L
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 3.7W（Ta），150W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ44STRL
  仓库库存编号：IRFZ44STRL-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 50A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 50A（Tc） 3.7W（Ta），190W（Tc） TO-262-3
  
  型号：IRFZ48L
  仓库库存编号：IRFZ48L-ND
  别名：*IRFZ48L
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
• 含铅
• 搜索