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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 50A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD088N04LGBTMA1
  仓库库存编号：IPD088N04LGBTMA1TR-ND
  别名：IPD088N04L G
  IPD088N04L G-ND
  SP000354798
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50N06S214ATMA1
  仓库库存编号：IPD50N06S214ATMA1TR-ND
  别名：IPD50N06S2-14
  IPD50N06S2-14-ND
  SP000252171
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50N06S2L13ATMA1
  仓库库存编号：IPD50N06S2L13ATMA1TR-ND
  别名：IPD50N06S2L-13
  IPD50N06S2L-13-ND
  SP000252172
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 50A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 50A（Tc） 150W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI200N15N3 G
  仓库库存编号：IPI200N15N3 G-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 50A（Tc） 47W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP080N03L G
  仓库库存编号：IPP080N03L G-ND
  别名：SP000264166
  SP000680836
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3-11
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 50A（Tc） 47W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS075N03LGAKMA1
  仓库库存编号：IPS075N03LGAKMA1-ND
  别名：IPS075N03L G
  IPS075N03L G-ND
  IPS075N03LG
  SP000705726
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 50A（Tc） 47W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU075N03L G
  仓库库存编号：IPU075N03L G-ND
  别名：SP000271467
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 50A（Tc） 100W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU103N08N3 G
  仓库库存编号：IPU103N08N3 G-ND
  别名：SP000521640
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 50A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 50A（Tc） 143W（Tc） I-Pak
  
  型号：IRLU3636PBF
  仓库库存编号：IRLU3636PBF-ND
  别名：SP001567320
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 50A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD200N15N3GBTMA1
  仓库库存编号：IPD200N15N3GBTMA1CT-ND
  别名：IPD200N15N3 GCT
  IPD200N15N3 GCT-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50N06S409ATMA1
  仓库库存编号：IPD50N06S409ATMA1TR-ND
  别名：IPD50N06S4-09
  IPD50N06S4-09-ND
  SP000374321
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50N06S4L08ATMA1
  仓库库存编号：IPD50N06S4L08ATMA1TR-ND
  别名：IPD50N06S4L-08
  IPD50N06S4L-08-ND
  SP000374322
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 50A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 50A（Tc） 68W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP065N04N G
  仓库库存编号：IPP065N04N G-ND
  别名：IPP065N04NG
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 50A（Tc） 56W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB075N04LGATMA1
  仓库库存编号：IPB075N04LGATMA1CT-ND
  别名：IPB075N04L GCT
  IPB075N04L GCT-ND
  IPB075N04LG
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 50A（Tc） 47W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB093N04LGATMA1
  仓库库存编号：IPB093N04LGATMA1CT-ND
  别名：IPB093N04L GCT
  IPB093N04L GCT-ND
  IPB093N04LG
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD50N03S207GBTMA1
  仓库库存编号：SPD50N03S207GBTMA1CT-ND
  别名：SPD50N03S2-07 GCT
  SPD50N03S2-07 GCT-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 99A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 143W（Tc） D-Pak
  
  型号：AUIRLR3636
  仓库库存编号：AUIRLR3636-ND
  别名：SP001520390
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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  MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 50A（Tc） 150W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP200N15N3GHKSA1
  仓库库存编号：IPP200N15N3GHKSA1-ND
  别名：SP000414714
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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  MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3-11
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 50W（Tc）
  
  型号：IPD50N06S4L12ATMA1
  仓库库存编号：IPD50N06S4L12ATMA1CT-ND
  别名：IPD50N06S4L12ATMA1CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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