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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 125W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC190N15NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC190N15NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC190N15NS3 GCT
  BSC190N15NS3 GCT-ND
  BSC190N15NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 50A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB200N15N3 G
  仓库库存编号：IPB200N15N3 GCT-ND
  别名：IPB200N15N3 GCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 50A TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SQD50P06-15L_GE3
  仓库库存编号：SQD50P06-15L_GE3CT-ND
  别名：SQD50P06-15L_GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 50A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 120W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP50N06
  仓库库存编号：FQP50N06FS-ND
  别名：FQP50N06-ND
  FQP50N06FS
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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  无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 260W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB2710
  仓库库存编号：FDB2710CT-ND
  别名：FDB2710CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 50A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 400W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP50N25T
  仓库库存编号：IXTP50N25T-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH50N20
  仓库库存编号：IXFH50N20-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 50A TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 227W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R040C7XKSA1
  仓库库存编号：IPW60R040C7XKSA1-ND
  别名：SP001296190
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5.2W（Ta），69W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR416DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR416DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR416DP-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 125W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD40NF10
  仓库库存编号：497-7969-1-ND
  别名：497-7969-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 100W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP50N10S3L16AKSA1
  仓库库存编号：IPP50N10S3L16AKSA1-ND
  别名：IPP50N10S3L-16
  IPP50N10S3L-16-ND
  IPP50N10S3L16
  SP000407118
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP200N15N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP200N15N3GXKSA1-ND
  别名：IPP200N15N3 G
  IPP200N15N3 G-ND
  IPP200N15N3G
  SP000680884
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 50A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 260W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP2710
  仓库库存编号：FDP2710-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 100V 50A TO-247AD
  详细描述：通孔 P 沟道 50A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH50P10
  仓库库存编号：IXTH50P10-ND
  别名：606059
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 50A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 690W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH50N30Q3
  仓库库存编号：IXFH50N30Q3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 50A TO247-4
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 227W（Tc） PG-TO247-4
  
  型号：IPZ60R040C7XKSA1
  仓库库存编号：IPZ60R040C7XKSA1-ND
  别名：SP001296204
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 50A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 227W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP60R040C7XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R040C7XKSA1-ND
  别名：SP001277604
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 56W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB065N03L G
  仓库库存编号：IPB065N03LGINCT-ND
  别名：IPB065N03LGINCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5.2W（Ta），69W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR164DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR164DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR164DP-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 190W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFZ48PBF
  仓库库存编号：IRFZ48PBF-ND
  别名：*IRFZ48PBF
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 40W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM090N03CP ROG
  仓库库存编号：TSM090N03CP ROGTR-ND
  别名：TSM090N03CP ROGTR
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 40W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM090N03CP ROG
  仓库库存编号：TSM090N03CP ROGCT-ND
  别名：TSM090N03CP ROGCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 40W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM090N03CP ROG
  仓库库存编号：TSM090N03CP ROGDKR-ND
  别名：TSM090N03CP ROGDKR
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 50A LFPAK33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 45W（Tc） LFPAK33
  
  型号：PSMN9R8-30MLC,115
  仓库库存编号：1727-7146-1-ND
  别名：1727-7146-1
  568-9579-1
  568-9579-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 80W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK6209-30C,118
  仓库库存编号：1727-5502-1-ND
  别名：1727-5502-1
  568-6980-1
  568-6980-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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