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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 50A TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 71W（Tc）
  
  型号：SQD45P03-12_GE3
  仓库库存编号：SQD45P03-12_GE3CT-ND
  别名：SQD45P03-12_GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CHAN 100V TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 136W（Tc） TO-252
  
  型号：SQD50N10-8M9L_GE3
  仓库库存编号：SQD50N10-8M9L_GE3CT-ND
  别名：SQD50N10-8M9L_GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 3.75W（Ta），120W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB50N06TM
  仓库库存编号：FQB50N06TMFSCT-ND
  别名：FQB50N06TMFSCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB40NF10T4
  仓库库存编号：497-6552-1-ND
  别名：497-6552-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 50A TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD50P06-15L-E3
  仓库库存编号：SUD50P06-15L-E3CT-ND
  别名：SUD50P06-15L-E3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5W（Ta），50W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR892DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR892DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR892DP-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 50A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SQD50P04-13L_GE3
  仓库库存编号：SQD50P04-13L_GE3CT-ND
  别名：SQD50P04-13L_GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 50A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SQD50P04-09L_GE3
  仓库库存编号：SQD50P04-09L_GE3CT-ND
  别名：SQD50P04-09L_GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 50A 10-POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5.2W（Ta），104W（Tc） 10-PolarPAK?（S）
  
  型号：SIE832DF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIE832DF-T1-GE3CT-ND
  别名：SIE832DF-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 50A POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5.2W（Ta），104W（Tc） 10-PolarPAK?（S）
  
  型号：SIE820DF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIE820DF-T1-GE3CT-ND
  别名：SIE820DF-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 56W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD50N03S4L06ATMA1
  仓库库存编号：IPD50N03S4L06ATMA1CT-ND
  别名：IPD50N03S4L06ATMA1CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 46W（Tc） PG-TO252-3-313
  
  型号：IPD50N04S408ATMA1
  仓库库存编号：IPD50N04S408ATMA1CT-ND
  别名：IPD50N04S408ATMA1CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD075N03LGATMA1
  仓库库存编号：IPD075N03LGATMA1CT-ND
  别名：IPD075N03LGINCT
  IPD075N03LGINCT-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 56W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD060N03LGATMA1
  仓库库存编号：IPD060N03LGATMA1CT-ND
  别名：IPD060N03LGINCT
  IPD060N03LGINCT-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  N-CHANNEL_30/40V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 42W（Tc） PG-TDSON-8-33
  
  型号：IPC50N04S5L5R5ATMA1
  仓库库存编号：IPC50N04S5L5R5ATMA1CT-ND
  别名：IPC50N04S5L5R5ATMA1CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD50N03S2L06GBTMA1
  仓库库存编号：SPD50N03S2L06GBTMA1CT-ND
  别名：SPD50N03S2L-06 GCT
  SPD50N03S2L-06 GCT-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD50N03S2L06ATMA1
  仓库库存编号：IPD50N03S2L06ATMA1CT-ND
  别名：IPD50N03S2L06ATMA1CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 79W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD079N06L3 G
  仓库库存编号：IPD079N06L3 GCT-ND
  别名：IPD079N06L3 GCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 86W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN015-60BS,118
  仓库库存编号：1727-7207-1-ND
  别名：1727-7207-1
  568-9698-1
  568-9698-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 103W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN017-80BS,118
  仓库库存编号：1727-7209-1-ND
  别名：1727-7209-1
  568-9700-1
  568-9700-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 79W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB081N06L3 G
  仓库库存编号：IPB081N06L3 GCT-ND
  别名：IPB081N06L3 GCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3-11
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPDH6N03LAG
  仓库库存编号：IPDH6N03LAGINCT-ND
  别名：IPDH6N03LAGINCT
  IPDH6N03LAGXTINCT
  IPDH6N03LAGXTINCT-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 100W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB50N10S3L16ATMA1
  仓库库存编号：IPB50N10S3L16ATMA1CT-ND
  别名：IPB50N10S3L-16INCT
  IPB50N10S3L-16INCT-ND
  IPB50N10S3L16ATMA1CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD50N03S2L06T
  仓库库存编号：SPD50N03S2L06XTINCT-ND
  别名：SPD50N03S2L06XTINCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 115W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD04N03LB G
  仓库库存编号：IPD04N03LBGINCT-ND
  别名：IPD04N03LBG
  IPD04N03LBGINCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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