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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5W（Ta），50W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR844DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR844DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR844DP-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5W（Ta），71.4W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRA02DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIRA02DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIRA02DP-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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  无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 4.8W（Ta），62.5W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIJ420DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIJ420DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIJ420DP-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 50A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 91W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP150N10A_F102
  仓库库存编号：FDP150N10A_F102-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 50A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 6.8W（Ta），65W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD50N02-06P-E3
  仓库库存编号：SUD50N02-06P-E3CT-ND
  别名：SUD50N02-06P-E3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CHAN 80V TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 136W（Tc） TO-252AA
  
  型号：SQD50P08-25L_GE3
  仓库库存编号：SQD50P08-25L_GE3CT-ND
  别名：SQD50P08-25L_GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5W（Ta），50W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR890DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR890DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR890DP-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 50A POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5.2W（Ta），104W（Tc） 10-PolarPAK?（S）
  
  型号：SIE822DF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIE822DF-T1-GE3CT-ND
  别名：SIE822DF-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 50A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 960W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ50N50P3
  仓库库存编号：IXFQ50N50P3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 50A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 960W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT50N50P3
  仓库库存编号：IXFT50N50P3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 50A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 690W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT50N30Q3
  仓库库存编号：IXFT50N30Q3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 46W（Tc） PG-TO252-3-313
  
  型号：IPD50N04S4L08ATMA1
  仓库库存编号：IPD50N04S4L08ATMA1CT-ND
  别名：IPD50N04S4L08ATMA1CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 50W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD50N06S4L12ATMA2
  仓库库存编号：IPD50N06S4L12ATMA2CT-ND
  别名：IPD50N06S4L12ATMA2CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 47W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB080N03L G
  仓库库存编号：IPB080N03L GCT-ND
  别名：IPB080N03L GCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 58W（Tc） PG-TO252-3-313
  
  型号：IPD50P04P413ATMA1
  仓库库存编号：IPD50P04P413ATMA1CT-ND
  别名：IPD50P04P413ATMA1CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB090N06N3 G
  仓库库存编号：IPB090N06N3 GCT-ND
  别名：IPB090N06N3 GCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 94W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU039N03LGXK
  仓库库存编号：IPU039N03LGXK-ND
  别名：IPU039N03L G
  IPU039N03LGIN
  IPU039N03LGIN-ND
  SP000256162
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 79W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU135N08N3 G
  仓库库存编号：IPU135N08N3 G-ND
  别名：IPU135N08N3G
  IPU135N08N3GBKMA1
  SP000521642
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD06N03LB G
  仓库库存编号：IPD06N03LBGINCT-ND
  别名：IPD06N03LBG
  IPD06N03LBGINCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR414DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR414DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR414DP-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 131W（Tc） TO-220AB
  
  型号：RFP50N06
  仓库库存编号：RFP50N06-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 50A DPAK TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 125W（Tc） TO-252
  
  型号：SUD70090E-GE3
  仓库库存编号：SUD70090E-GE3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 50A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STP55NF06FP
  仓库库存编号：497-3193-5-ND
  别名：497-3193-5
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 2.5W（Ta），125W（Tc） D2PAK
  
  型号：MTB50P03HDLT4G
  仓库库存编号：MTB50P03HDLT4GOSCT-ND
  别名：MTB50P03HDLT4GOSCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 50A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 1040W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH50N60P3
  仓库库存编号：IXFH50N60P3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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