规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 190W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ48RPBF
仓库库存编号:
IRFZ48RPBF-ND
别名:*IRFZ48RPBF
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 50A 10-POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 5.2W(Ta),104W(Tc) 10-PolarPAK?(S)
型号:
SIE832DF-T1-E3
仓库库存编号:
SIE832DF-T1-E3CT-ND
别名:SIE832DF-T1-E3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 3.7W(Ta),190W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ48SPBF
仓库库存编号:
IRFZ48SPBF-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 3.7W(Ta),150W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ44STRLPBF
仓库库存编号:
IRFZ44STRLPBF-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 50A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 2.5W(Ta),75W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SQD45N05-20L-GE3
仓库库存编号:
SQD45N05-20L-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 190W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
IRFZ48RSPBF
仓库库存编号:
IRFZ48RSPBF-ND
别名:*IRFZ48RSPBF
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 3.7W(Ta),150W(Tc) D2PAK
型号:
IRLZ44STRRPBF
仓库库存编号:
IRLZ44STRRPBF-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V MP-25/TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 1.5W(Ta),84W(Tc) TO-220AB
型号:
2SK3480-AZ
仓库库存编号:
2SK3480-AZ-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 50A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 360W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA50N20P
仓库库存编号:
IXTA50N20P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 50A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 360W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP50N20P
仓库库存编号:
IXTP50N20P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 50A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 360W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ50N20P
仓库库存编号:
IXTQ50N20P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 50A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 400W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA50N25T
仓库库存编号:
IXTA50N25T-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 50A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 400W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ50N25T
仓库库存编号:
IXTQ50N25T-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 50A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 400W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH50N25T
仓库库存编号:
IXTH50N25T-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 85V 50A TO-268
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 300W(Tc) TO-268
型号:
IXTT50P085
仓库库存编号:
IXTT50P085-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 50A TO268
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 1040W(Tc) TO-268
型号:
IXFT50N60P3
仓库库存编号:
IXFT50N60P3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 50A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 960W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH50N50P3
仓库库存编号:
IXFH50N50P3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 50A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 600V 50A(Tc) 660W(Tc) TO-3P
型号:
IXFQ50N60X
仓库库存编号:
IXFQ50N60X-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 50A TO-268
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 50A(Tc) 300W(Tc) TO-268
型号:
IXTT50P10
仓库库存编号:
IXTT50P10-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 50A TO268
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 50A(Tc) 660W(Tc) TO-268
型号:
IXFT50N60X
仓库库存编号:
IXFT50N60X-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 50A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 50A(Tc) 660W(Tc) TO-247
型号:
IXFH50N60X
仓库库存编号:
IXFH50N60X-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 50A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 50A(Tc) 300W(Tc) TO-268
型号:
IXFT50N20
仓库库存编号:
IXFT50N20-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 200V 50A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH50N20
仓库库存编号:
IXTH50N20-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 50A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 300V 50A(Tc) 400W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH50N30
仓库库存编号:
IXTH50N30-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 50A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 200V 50A(Tc) 300W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR58N20
仓库库存编号:
IXFR58N20-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
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