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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 10.3A（Tc） 31W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R400CEXKSA1
  仓库库存编号：IPA60R400CEXKSA1-ND
  别名：SP001276040
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10.3A（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.3A（Tc） 83W（Tc） TO-252-3
  
  型号：IPD60R400CEATMA1
  仓库库存编号：IPD60R400CEATMA1CT-ND
  别名：IPD60R400CEATMA1CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10.3A（Tc）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.3A（Tc） 8-SOIC
  
  型号：SI4058DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4058DY-T1-GE3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10.3A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10.3A（Tc） 28W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPAW60R600CEXKSA1
  仓库库存编号：IPAW60R600CEXKSA1-ND
  别名：SP001391618
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10.3A（Tc）,
• 无铅
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 10.3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 10.3A（Tc） 33W（Tc） DPAK
  
  型号：PHD3055E,118
  仓库库存编号：PHD3055E,118-ND
  别名：934054728118
  PHD3055E /T3
  PHD3055E /T3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10.3A（Tc）,
• 无铅
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 10.3A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 10.3A（Tc） 33W（Tc） D2PAK
  
  型号：PHB11N06LT,118
  仓库库存编号：PHB11N06LT,118-ND
  别名：934055182118
  PHB11N06LT /T3
  PHB11N06LT /T3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10.3A（Tc）,
• 无铅
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 10.3A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 10.3A（Tc） 33W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PHP3055E,127
  仓库库存编号：PHP3055E,127-ND
  别名：934050050127
  PHP3055E
  PHP3055E-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10.3A（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10.3A（Tc） 50W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB10N10
  仓库库存编号：SPB10N10-ND
  别名：SP000013845
  SPB10N10T
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10.3A（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10.3A（Tc） 50W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB10N10 G
  仓库库存编号：SPB10N10 G-ND
  别名：SP000102168
  SPB10N10GXT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10.3A（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10.3A（Tc） 50W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB10N10L
  仓库库存编号：SPB10N10L-ND
  别名：SP000013836
  SPB10N10LT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10.3A（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10.3A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 10.3A（Tc） 50W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI10N10
  仓库库存编号：SPI10N10-ND
  别名：SP000013846
  SPI10N10X
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10.3A（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10.3A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 10.3A（Tc） 50W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI10N10L
  仓库库存编号：SPI10N10L-ND
  别名：SP000013850
  SPI10N10LX
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10.3A（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 10.3A（Tc） 50W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP10N10
  仓库库存编号：SPP10N10-ND
  别名：SP000013844
  SPP10N10X
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10.3A（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 10.3A（Tc） 50W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP10N10L
  仓库库存编号：SPP10N10L-ND
  别名：SP000013849
  SPP10N10LX
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10.3A（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10.3A（Tc） 50W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB10N10L G
  仓库库存编号：SPB10N10LGINCT-ND
  别名：SPB10N10LG
  SPB10N10LGINCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10.3A（Tc）,
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