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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.7A（Tc） 2.5W（Ta），55W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD7P20TM
  仓库库存编号：FQD7P20TMCT-ND
  别名：FQD7P20TMCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.7A（Tc）,
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  无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 900V 5.7A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 5.7A（Tc） 32W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA90R1K0C3
  仓库库存编号：IPA90R1K0C3-ND
  别名：IPA90R1K0C3XKSA1
  SP000413712
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.7A（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 5.7A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 5.7A（Tc） 27W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R750E6
  仓库库存编号：IPA60R750E6-ND
  别名：IPA60R750E6XKSA1
  SP000842480
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.7A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 5.7A（Tc） 32W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA80R1K0CEXKSA2
  仓库库存编号：IPA80R1K0CEXKSA2-ND
  别名：SP001313392
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.7A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.7A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD80R1K0CEATMA1
  仓库库存编号：IPD80R1K0CEATMA1CT-ND
  别名：IPD80R1K0CEATMA1CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.7A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 5.7A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 5.7A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI740GLCPBF
  仓库库存编号：IRFI740GLCPBF-ND
  别名：*IRFI740GLCPBF
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.7A（Tc）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 5.9A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.7A（Tc） 74W（Tc） DPAK
  
  型号：NDD60N900U1T4G
  仓库库存编号：NDD60N900U1T4G-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.7A（Tc）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 5.9A IPAK-4
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 5.7A（Tc） 74W（Tc） I-Pak
  
  型号：NDD60N900U1-1G
  仓库库存编号：NDD60N900U1-1G-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.7A（Tc）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 5.9A IPAK-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 5.7A（Tc） 74W（Tc） I-Pak
  
  型号：NDD60N900U1-35G
  仓库库存编号：NDD60N900U1-35G-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.7A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 5.7A（Tc） 48W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R750E6ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R750E6ATMA1-ND
  别名：SP001117728
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.7A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 5.7A（Tc） 83W（Tc） PG-TO251
  
  型号：IPU80R1K0CEAKMA1
  仓库库存编号：IPU80R1K0CEAKMA1-ND
  别名：SP001593928
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.7A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 5.7A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 5.7A（Tc） 48W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R750E6XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R750E6XKSA1-ND
  别名：IPP60R750E6
  IPP60R750E6-ND
  SP000842482
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.7A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 5.7A（Tc） 89W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP90R1K0C3XKSA1
  仓库库存编号：IPP90R1K0C3XKSA1-ND
  别名：IPP90R1K0C3
  IPP90R1K0C3-ND
  SP000413744
  SP000683094
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.7A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 5.7A（Tc） 89W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW90R1K0C3FKSA1
  仓库库存编号：IPW90R1K0C3FKSA1-ND
  别名：IPW90R1K0C3
  IPW90R1K0C3-ND
  SP000413752
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.7A（Tc）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 20V 5.7A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 5.7A（Tc） 1.75W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：PMN34LN,135
  仓库库存编号：568-7419-1-ND
  别名：568-7419-1
  PMN34LN135
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.7A（Tc）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 20V 5.7A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 5.7A（Tc） 1.75W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：PMN27UN,135
  仓库库存编号：568-7417-1-ND
  别名：568-7417-1
  PMN27UN135
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.7A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 5.7A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 5.7A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI740GLC
  仓库库存编号：IRFI740GLC-ND
  别名：*IRFI740GLC
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.7A（Tc）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 20V 5.7A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 5.7A（Tc） 1.9W（Tc） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：PMV30UN,215
  仓库库存编号：568-2353-1-ND
  别名：568-2353-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.7A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 200V 5.7A IPAK
  详细描述：通孔 P 沟道 200V 5.7A（Tc） 2.5W（Ta），55W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU7P20TU
  仓库库存编号：FQU7P20TU-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.7A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 5.7A（Tc） 2.5W（Ta），55W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD7P20TF
  仓库库存编号：FQD7P20TF-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.7A（Tc）,
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  无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 200V 5.7A IPAK
  详细描述：通孔 P 沟道 200V 5.7A（Tc） 2.5W（Ta），55W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU7P20TU_AM002
  仓库库存编号：FQU7P20TU_AM002-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.7A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 5.7A（Tc） 2.5W（Ta），55W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD7P20TM_F080
  仓库库存编号：FQD7P20TM_F080-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.7A（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 12V 5.7A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12V 5.7A（Tc） 1.75W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：PMN28UN,135
  仓库库存编号：568-7418-1-ND
  别名：568-7418-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.7A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 5.7A（Tc） 89W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI90R1K0C3XKSA1
  仓库库存编号：IPI90R1K0C3XKSA1-ND
  别名：IPI90R1K0C3
  IPI90R1K0C3-ND
  SP000413722
  SP000683078
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.7A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 5.7A（Tc） 48W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R750E6BTMA1
  仓库库存编号：IPD60R750E6BTMA1CT-ND
  别名：IPD60R750E6BTMA1CT
  IPD60R750E6CT
  IPD60R750E6CT-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.7A（Tc）,
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