规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 30A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 290W（Tc） TO-3PN
型号：
FQA30N40
仓库库存编号：
FQA30N40-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 48W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR4105ZTRPBF
仓库库存编号：
IRFR4105ZTRPBFCT-ND
别名：*IRFR4105ZTRPBF
IRFR4105ZPBFCT
IRFR4105ZPBFCT-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 30A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 3.6W（Ta），39W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SISA10DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SISA10DN-T1-GE3CT-ND
别名：SISA10DN-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD30N06S2L13ATMA4
仓库库存编号：
IPD30N06S2L13ATMA4CT-ND
别名：IPD30N06S2L13ATMA4CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 30A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD30P06P G
仓库库存编号：
SPD30P06P GCT-ND
别名：SPD30P06P GCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） D2PAK
型号：
IRLZ34NSTRLPBF
仓库库存编号：
IRLZ34NSTRLPBFCT-ND
别名：IRLZ34NSTRLPBFCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 68W（Tc） TO-220AB
型号：
IRLZ34NPBF
仓库库存编号：
IRLZ34NPBF-ND
别名：*IRLZ34NPBF
SP001553290
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 45W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRLIZ44NPBF
仓库库存编号：
IRLIZ44NPBF-ND
别名：*IRLIZ44NPBF
SP001558208
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 30A TO220-FP
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 34W（Tc） PG-TO-220-FP
型号：
IPA60R125C6
仓库库存编号：
IPA60R125C6-ND
别名：IPA60R125C6XKSA1
SP000685848
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 390W（Tc） TO-247AC
型号：
SIHG32N50D-GE3
仓库库存编号：
SIHG32N50D-GE3-ND
别名：SIHG32N50DGE3
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 31W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD30N03S4L14ATMA1
仓库库存编号：
IPD30N03S4L14ATMA1CT-ND
别名：IPD30N03S4L-14CT
IPD30N03S4L-14CT-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 48W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU4105ZPBF
仓库库存编号：
IRFU4105ZPBF-ND
别名：*IRFU4105ZPBF
SP001552434
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 219W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP60R125P6XKSA1
仓库库存编号：
IPP60R125P6XKSA1-ND
别名：SP001114648
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 30A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 219W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP60R125C6
仓库库存编号：
IPP60R125C6-ND
别名：IPP60R125C6XKSA1
SP000685844
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 30A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 219W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW60R125C6
仓库库存编号：
IPW60R125C6-ND
别名：IPW60R125C6FKSA1
SP000641912
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 30A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 40W（Tc） TO-220FM
型号：
R6030ENX
仓库库存编号：
R6030ENX-ND
别名：R6030ENXCT
R6030ENXCT-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 120W（Tc） TO-3PF
型号：
R6030ENZC8
仓库库存编号：
R6030ENZC8-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 30A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 120W（Tc） TO-247
型号：
R6030ENZ1C9
仓库库存编号：
R6030ENZ1C9-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 415W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT30F50B
仓库库存编号：
APT30F50B-ND
别名：APT30F50BMP
APT30F50BMP-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 7W（Tc） 8-SOP
型号：
TSM042N03CS RLG
仓库库存编号：
TSM042N03CS RLGTR-ND
别名：TSM042N03CS RLGTR
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 7W（Tc） 8-SOP
型号：
TSM042N03CS RLG
仓库库存编号：
TSM042N03CS RLGCT-ND
别名：TSM042N03CS RLGCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 7W（Tc） 8-SOP
型号：
TSM042N03CS RLG
仓库库存编号：
TSM042N03CS RLGDKR-ND
别名：TSM042N03CS RLGDKR
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET ARRAY 2N-CH 60V SO8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 30A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号：
SQJB00EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJB00EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJB00EP-T1_GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET ARRAY 2N-CH 100V SO8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 30A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号：
SQJ974EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ974EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJ974EP-T1_GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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Vishay Siliconix
MOSFET ARRAY 2N-CH 80V SO8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 30A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号：
SQJB90EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJB90EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJB90EP-T1_GE3CT
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