规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 44W(Tc) LFPAK33
型号:
BUK9M24-40EX
仓库库存编号:
1727-2576-1-ND
别名:1727-2576-1
568-13020-1
568-13020-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 94.9W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN038-100YLX
仓库库存编号:
1727-1815-1-ND
别名:1727-1815-1
568-11429-1
568-11429-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V MLFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 62W(Tc) LFPAK33
型号:
BUK7M27-80EX
仓库库存编号:
1727-2561-1-ND
别名:1727-2561-1
568-13005-1
568-13005-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 60W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD30N03S2L20ATMA1
仓库库存编号:
IPD30N03S2L20ATMA1CT-ND
别名:IPD30N03S2L20ATMA1CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 36W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD220N06L3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD220N06L3GBTMA1CT-ND
别名:IPD220N06L3GBTMA1CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 36W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD30N06S4L23ATMA2
仓库库存编号:
IPD30N06S4L23ATMA2CT-ND
别名:IPD30N06S4L23ATMA2CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD26N06S2L35ATMA2
仓库库存编号:
IPD26N06S2L35ATMA2CT-ND
别名:IPD26N06S2L35ATMA2CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 95W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK7Y38-100EX
仓库库存编号:
1727-1111-1-ND
别名:1727-1111-1
568-10266-1
568-10266-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD30N08S2L21ATMA1
仓库库存编号:
IPD30N08S2L21ATMA1CT-ND
别名:IPD30N08S2L-21CT
IPD30N08S2L-21CT-ND
IPD30N08S2L21ATMA1CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 120W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3915TRPBF
仓库库存编号:
IRLR3915TRPBFCT-ND
别名:IRLR3915TRPBFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 30A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 219W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB60R125C6
仓库库存编号:
IPB60R125C6CT-ND
别名:IPB60R125C6CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 30A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 75W(Tc) TO-220-3
型号:
BUZ11_NR4941
仓库库存编号:
BUZ11_NR4941-ND
别名:BUZ11NR4941
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 30A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 25W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK30A06N1,S4X
仓库库存编号:
TK30A06N1S4X-ND
别名:TK30A06N1,S4X(S
TK30A06N1,S4X-ND
TK30A06N1S4X
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 214W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP250NPBF
仓库库存编号:
IRFP250NPBF-ND
别名:*IRFP250NPBF
SP001554946
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 48W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIZ44GPBF
仓库库存编号:
IRFIZ44GPBF-ND
别名:*IRFIZ44GPBF
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 460W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH30N50P
仓库库存编号:
IXFH30N50P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 540W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH30N60P
仓库库存编号:
IXTH30N60P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 30A ISOPLUS247
详细描述:通孔 P 沟道 30A(Tc) 190W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXTR48P20P
仓库库存编号:
IXTR48P20P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 400W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH30N50L2
仓库库存编号:
IXTH30N50L2-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 1040W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT29F100B2
仓库库存编号:
APT29F100B2-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 30A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 2.23W(Ta),40W(Tc) TO-220FM
型号:
RCX300N20
仓库库存编号:
RCX300N20-ND
别名:RCX300N20CT
RCX300N20CT-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO247-3
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 219W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R125P6XKSA1
仓库库存编号:
IPW60R125P6XKSA1-ND
别名:SP001114656
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 30A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 219W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT30N60BC6
仓库库存编号:
APT30N60BC6-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 30A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 70W(Tc) TO-220AB
型号:
STP36NF06
仓库库存编号:
497-3186-5-ND
别名:497-3186-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
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Rohm Semiconductor
NCH 600V 30A POWER MOSFET, TO220
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 86W(Tc) TO-220FM
型号:
R6030KNX
仓库库存编号:
R6030KNX-ND
别名:R6030KNXTR
R6030KNXTR-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
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