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  MOSFET N-CH 60V 30A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 32W（Tc） TO-220F
  
  型号：FKI06190
  仓库库存编号：FKI06190-ND
  别名：FKI06190 DK
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MV7 N CHANNEL POWER TRENCH MOSFE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 50W（Tj） 8-PQFN（5x6）
  
  型号：FDMS86581_F085
  仓库库存编号：FDMS86581_F085-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 8PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 68.2W（Tj） Power56
  
  型号：FDMS9411_F085
  仓库库存编号：FDMS9411_F085CT-ND
  别名：FDMS9411_F085CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 30A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SQJ910AEP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ910AEP-T1_GE3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 30V 30A 8HVSON
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30A（Tc） 1.5W（Ta） 8-HWSON（3.3x3.3）
  
  型号：UPA2812T1L-E2-AT
  仓库库存编号：UPA2812T1L-E2-AT-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 30V 30A 8HVSON
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30A（Tc） 1.5W（Ta）, 52W（Tc） 8-HVSON（3x3.3）
  
  型号：UPA2812T1L-E1-AT
  仓库库存编号：UPA2812T1L-E1-AT-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30A（Tc） 7W（Tc） 8-SOIC
  
  型号：SQ4483EY-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ4483EY-T1_GE3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ403EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ403EP-T1_GE3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 55V 30A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 50W（Tc） TO-252AA
  
  型号：SQD30N05-20L_GE3
  仓库库存编号：SQD30N05-20L_GE3-ND
  别名：SQD30N05-20L-GE3
  SQD30N05-20L-GE3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 30A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7159DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7159DP-T1-GE3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 46W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ840EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ840EP-T1_GE3-ND
  别名：SQJ840EP-T1-GE3
  SQJ840EP-T1-GE3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 3W（Ta），6W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4626ADY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4626ADY-T1-E3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 3W（Ta），6W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4626ADY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4626ADY-T1-GE3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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  MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：IRLZ34SPBF
  仓库库存编号：IRLZ34SPBF-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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  MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ34STRLPBF
  仓库库存编号：IRFZ34STRLPBF-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 5.4W（Ta），96W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7738DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7738DP-T1-E3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 30A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SQD40N06-25L-GE3
  仓库库存编号：SQD40N06-25L-GE3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 48W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRLIZ44G
  仓库库存编号：IRLIZ44G-ND
  别名：*IRLIZ44G
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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  MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 390W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG32N50D-E3
  仓库库存编号：SIHG32N50D-E3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 30A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 500W（Tc） TO-220
  
  型号：IXFP30N60X
  仓库库存编号：IXFP30N60X-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 30A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 500W（Tc） TO-263
  
  型号：IXFA30N60X
  仓库库存编号：IXFA30N60X-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 460W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH30N50P
  仓库库存编号：IXTH30N50P-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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  MOSFET N-CH 600V 30A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 500W（Tc） TO-247
  
  型号：IXFH30N60X
  仓库库存编号：IXFH30N60X-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 30A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 460W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ30N50P
  仓库库存编号：IXTQ30N50P-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 460W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT30N50P
  仓库库存编号：IXFT30N50P-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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