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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 2.3W PowerDI5060-8
  
  型号：DMT6002LPS-13
  仓库库存编号：DMT6002LPS-13-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRA00DP-T1-RE3
  仓库库存编号：SIRA00DP-T1-RE3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 234W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK963R1-40E,118
  仓库库存编号：1727-1098-1-ND
  别名：1727-1098-1
  568-10253-1
  568-10253-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  N-CHANNEL_30/40V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 150W（Tc） PG-TDSON-8-34
  
  型号：IPC100N04S5L1R1ATMA1
  仓库库存编号：IPC100N04S5L1R1ATMA1CT-ND
  别名：IPC100N04S5L1R1ATMA1CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 100A（Tc） 263W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK969R3-100E,118
  仓库库存编号：1727-1064-1-ND
  别名：1727-1064-1
  568-10174-1
  568-10174-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 不受无铅要求限制
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 263W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK962R6-40E,118
  仓库库存编号：1727-1095-1-ND
  别名：1727-1095-1
  568-10250-1
  568-10250-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 263W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK964R2-60E,118
  仓库库存编号：1727-1100-1-ND
  别名：1727-1100-1
  568-10255-1
  568-10255-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 234W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK753R1-40E,127
  仓库库存编号：1727-7236-ND
  别名：1727-7236
  568-9841-5
  568-9841-5-ND
  934066424127
  BUK753R140E127
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 60V 100A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 2.8W（Ta），125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：DMTH6005LCT
  仓库库存编号：DMTH6005LCT-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 120W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SQP100N04-3M6_GE3
  仓库库存编号：SQP100N04-3M6_GE3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 333W（Tc） I2PAK
  
  型号：BUK7E2R3-40C,127
  仓库库存编号：1727-5269-ND
  别名：1727-5269
  568-6628
  568-6628-5
  568-6628-5-ND
  568-6628-ND
  934059861127
  BUK7E2R3-40C,127-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 150W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SQM100N02-3M5L_GE3
  仓库库存编号：SQM100N02-3M5L_GE3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 40V 100A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 2.8W（Ta），125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：DMTH4005SCT
  仓库库存编号：DMTH4005SCT-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 100A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 157W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SQM100N04-2M7_GE3
  仓库库存编号：SQM100N04-2M7_GE3-ND
  别名：SQM100N04-2M7-GE3
  SQM100N04-2M7-GE3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 40V 100A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 2.3W（Ta）, 104W（Tc） TO-220AB
  
  型号：DMT4005SCT
  仓库库存编号：DMT4005SCT-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 60V 100A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 2.3W（Ta）, 104W（Tc） TO-220AB
  
  型号：DMT6005LCT
  仓库库存编号：DMT6005LCT-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 41V 60V,TO220-3,TU
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 2.8W（Ta），125W（Tc） TO-220-3
  
  型号：DMTH6010SCT
  仓库库存编号：DMTH6010SCTDI-5-ND
  别名：DMTH6010SCTDI-5
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 40V 100A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 150W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA100N04T2
  仓库库存编号：IXTA100N04T2-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：通孔 P 沟道 100A（Tc） 187W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SQP100P06-9M3L_GE3
  仓库库存编号：SQP100P06-9M3L_GE3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 100A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SQM100N10-10_GE3
  仓库库存编号：SQM100N10-10_GE3-ND
  别名：SQM100N10-10-GE3
  SQM100N10-10-GE3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 40V 100A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100A（Tc） 1.8W（Ta），200W（Tc） TO-263
  
  型号：NP100P04PDG-E1-AY
  仓库库存编号：NP100P04PDG-E1-AY-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 100A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 100A（Tc） 600W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ100N25P
  仓库库存编号：IXTQ100N25P-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 100A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 100A（Tc） 600W（Tc） TO-247AD
  
  型号：IXFH100N25P
  仓库库存编号：IXFH100N25P-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 100A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 100A（Tc） 600W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK100N25P
  仓库库存编号：IXTK100N25P-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 100A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 100A（Tc） 600W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT100N25P
  仓库库存编号：IXTT100N25P-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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