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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 215W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN1R1-25YLC,115
  仓库库存编号：1727-5296-1-ND
  别名：1727-5296-1
  568-6726-1
  568-6726-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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  无铅
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 3.2W（Ta） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD17506Q5A
  仓库库存编号：296-28408-1-ND
  别名：296-28408-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 167W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD034N06N3 G
  仓库库存编号：IPD034N06N3 GINCT-ND
  别名：IPD034N06N3 GINCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 238W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK7Y4R8-60EX
  仓库库存编号：1727-1487-1-ND
  别名：1727-1487-1
  568-10967-1
  568-10967-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 238W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN1R4-40YLDX
  仓库库存编号：1727-1857-1-ND
  别名：1727-1857-1
  568-11553-1
  568-11553-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC031N06NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC031N06NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC031N06NS3 GCT
  BSC031N06NS3 GCT-ND
  BSC031N06NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC040N10NS5ATMA1
  仓库库存编号：BSC040N10NS5ATMA1CT-ND
  别名：BSC040N10NS5ATMA1CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRA00DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIRA00DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIRA00DP-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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  无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 103W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN4R3-30PL,127
  仓库库存编号：1727-4266-ND
  别名：1727-4266
  568-4897-5
  568-4897-5-ND
  934063918127
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB042N10N3 G
  仓库库存编号：IPB042N10N3 GCT-ND
  别名：IPB042N10N3 GCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 333W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK764R0-75C,118
  仓库库存编号：1727-5255-1-ND
  别名：1727-5255-1
  568-6579-1
  568-6579-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 250W（Tc） TO-220-3
  
  型号：CSD18532KCS
  仓库库存编号：296-34941-5-ND
  别名：296-34941-5
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 270W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN1R8-30PL,127
  仓库库存编号：1727-4388-ND
  别名：1727-4388
  568-5234
  568-5234-5
  568-5234-5-ND
  568-5234-ND
  934064002127
  PSMN1R830PL127
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP045N10N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP045N10N3GXKSA1-ND
  别名：IPP045N10N3 G
  IPP045N10N3 G-ND
  IPP045N10N3G
  SP000680794
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB072N15N3 G
  仓库库存编号：IPB072N15N3 GCT-ND
  别名：IPB072N15N3 GCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP075N15N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP075N15N3GXKSA1-ND
  别名：IPP075N15N3 G
  IPP075N15N3 G-ND
  IPP075N15N3G
  SP000680832
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 63W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR6225TRPBF
  仓库库存编号：IRLR6225TRPBFCT-ND
  别名：IRLR6225TRPBFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 259W（Tc） TO-220-3
  
  型号：CSD18502KCS
  仓库库存编号：296-34940-5-ND
  别名：296-34940-5
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 100A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） I2PAK
  
  型号：STB100NF03L-03-1
  仓库库存编号：497-15805-5-ND
  别名：497-15805-5
  STB100NF03L-03-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP048N12N3 G
  仓库库存编号：IPP048N12N3 G-ND
  别名：IPP048N12N3G
  IPP048N12N3GXKSA1
  SP000652734
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 100V 100A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK100A10N1,S4X
  仓库库存编号：TK100A10N1S4X-ND
  别名：TK100A10N1,S4X(S
  TK100A10N1,S4X-ND
  TK100A10N1S4X
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 1890W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB100N50P
  仓库库存编号：IXFB100N50P-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 156W（Tc） 8-PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH7084TRPBF
  仓库库存编号：IRFH7084TRPBFCT-ND
  别名：IRFH7084TRPBFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB035N08N3 G
  仓库库存编号：IPB035N08N3 GCT-ND
  别名：IPB035N08N3 GCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 170W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF1104PBF
  仓库库存编号：IRF1104PBF-ND
  别名：*IRF1104PBF
  SP001570050
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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