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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 100A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 3W（Ta），78W（Tc） PowerFlat?（3.3x3.3）
  
  型号：STL20N6F7
  仓库库存编号：497-16117-1-ND
  别名：497-16117-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 含铅
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 25V 100A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 3W（Ta） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD16342Q5A
  仓库库存编号：296-30314-1-ND
  别名：296-30314-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 含铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CHA 60V 100A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 3.9W（Ta）, 180W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：DMTH6004SK3-13
  仓库库存编号：DMTH6004SK3-13DICT-ND
  别名：DMTH6004SK3-13DICT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 25V 8PDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.2W（Ta） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：MCP87022T-U/MF
  仓库库存编号：MCP87022T-U/MFCT-ND
  别名：MCP87022T-U/MFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 25V 100A 8PDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.2W（Ta） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：MCP87018T-U/MF
  仓库库存编号：MCP87018T-U/MFCT-ND
  别名：MCP87018T-U/MFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 40V 100A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 78W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6144
  仓库库存编号：800-3746-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 31V 40V TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 3.9W（Ta）, 180W（Tc） TO-252
  
  型号：DMTH4004SK3-13
  仓库库存编号：DMTH4004SK3-13DICT-ND
  别名：DMTH4004SK3-13DICT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 100A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 227W（Tj） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD86567_F085
  仓库库存编号：FDD86567_F085CT-ND
  别名：FDD86567_F085CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 227W（Tj） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD86367_F085
  仓库库存编号：FDD86367_F085CT-ND
  别名：FDD86367_F085CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR638DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR638DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR638DP-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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  无铅
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 3.2W（Ta） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD17501Q5A
  仓库库存编号：296-28437-1-ND
  别名：296-28437-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET ARRAY 2N-CH 40V PWRPAK8X8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 100A (Tc) 135W Surface Mount PowerPAK? 8 x 8 Dual
  
  型号：SQJQ900E-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJQ900E-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJQ900E-T1_GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 3.2W（Ta），191W（Tc） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD16556Q5B
  仓库库存编号：296-35627-1-ND
  别名：296-35627-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP037N08N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP037N08N3GXKSA1-ND
  别名：IPP037N08N3 G
  IPP037N08N3 G-ND
  IPP037N08N3G
  SP000680776
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 25V 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 3.2W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
  
  型号：CSD16415Q5
  仓库库存编号：296-30139-1-ND
  别名：296-30139-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 含铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 80V 100A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 4.8W（Ta）, 120W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL100N8F7
  仓库库存编号：497-16502-1-ND
  别名：497-16502-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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  无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V D2PAK-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 214W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：FDB024N04AL7
  仓库库存编号：FDB024N04AL7CT-ND
  别名：FDB024N04AL7CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP028N08N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP028N08N3GXKSA1-ND
  别名：IPP028N08N3 G
  IPP028N08N3 G-ND
  IPP028N08N3G
  SP000680766
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI075N15N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPI075N15N3GXKSA1-ND
  别名：SP000680676
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 91W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN3R0-30YLDX
  仓库库存编号：1727-1796-1-ND
  别名：1727-1796-1
  568-11379-1
  568-11379-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 179W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN1R5-30YLC,115
  仓库库存编号：1727-5297-1-ND
  别名：1727-5297-1
  568-6727-1
  568-6727-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 109W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN1R7-30YL,115
  仓库库存编号：1727-4162-1-ND
  别名：1727-4162-1
  568-4678-1
  568-4678-1-ND
  PSMN1R730YL115
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 194W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN1R2-30YLDX
  仓库库存编号：1727-1860-1-ND
  别名：1727-1860-1
  568-11556-1
  568-11556-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 100W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：IPC100N04S5L1R9ATMA1
  仓库库存编号：IPC100N04S5L1R9ATMA1CT-ND
  别名：IPC100N04S5L1R9ATMA1CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  N-CHANNEL_30/40V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 100W（Tc） PG-TDSON-8-34
  
  型号：IPC100N04S51R9ATMA1
  仓库库存编号：IPC100N04S51R9ATMA1CT-ND
  别名：IPC100N04S51R9ATMA1CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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