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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 62.5W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PH2925U,115
  仓库库存编号：1727-3121-1-ND
  别名：1727-3121-1
  568-2344-1
  568-2344-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC022N04LSATMA1
  仓库库存编号：BSC022N04LSATMA1CT-ND
  别名：BSC022N04LSATMA1CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 115W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：IPC100N04S5L1R5ATMA1
  仓库库存编号：IPC100N04S5L1R5ATMA1CT-ND
  别名：IPC100N04S5L1R5ATMA1CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 115W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：IPC100N04S51R7ATMA1
  仓库库存编号：IPC100N04S51R7ATMA1CT-ND
  别名：IPC100N04S51R7ATMA1CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3-313
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3-313
  
  型号：IPD100N04S402ATMA1
  仓库库存编号：IPD100N04S402ATMA1CT-ND
  别名：IPD100N04S402ATMA1CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 100A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），74W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC034N06NSATMA1
  仓库库存编号：BSC034N06NSATMA1CT-ND
  别名：BSC034N06NSATMA1CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB100N03S203T
  仓库库存编号：SPB100N03S203XTINCT-ND
  别名：SPB100N03S203XTINCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A PQFN5X6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 125W（Tc） 8-PQFN（5x6）
  
  型号：IRF40H210
  仓库库存编号：IRF40H210CT-ND
  别名：IRF40H210CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 150W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：IPC100N04S51R2ATMA1
  仓库库存编号：IPC100N04S51R2ATMA1CT-ND
  别名：IPC100N04S51R2ATMA1CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC030N08NS5ATMA1
  仓库库存编号：BSC030N08NS5ATMA1CT-ND
  别名：BSC030N08NS5ATMA1CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK963R2-40B,118
  仓库库存编号：1727-5263-1-ND
  别名：1727-5263-1
  568-6588-1
  568-6588-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 333W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK762R0-40C,118
  仓库库存编号：1727-5250-1-ND
  别名：1727-5250-1
  568-6574-1
  568-6574-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），114W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC037N08NS5ATMA1
  仓库库存编号：BSC037N08NS5ATMA1CT-ND
  别名：BSC037N08NS5ATMA1CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB100N04S204ATMA4
  仓库库存编号：IPB100N04S204ATMA4CT-ND
  别名：IPB100N04S204ATMA4CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB100N06S205ATMA4
  仓库库存编号：IPB100N06S205ATMA4CT-ND
  别名：IPB100N06S205ATMA4CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），156W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC036NE7NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC036NE7NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC036NE7NS3GATMA1CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  N-CHANNEL_100+
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB100N12S305ATMA1
  仓库库存编号：IPB100N12S305ATMA1CT-ND
  别名：IPB100N12S305ATMA1CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 100A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 1040W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX100N65X2
  仓库库存编号：IXFX100N65X2-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 188W（Tc） TO-220-3
  
  型号：CSD18503KCS
  仓库库存编号：296-34974-5-ND
  别名：296-34974-5
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP100N04T2
  仓库库存编号：IXTP100N04T2-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 100A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK100A06N1,S4X
  仓库库存编号：TK100A06N1S4X-ND
  别名：TK100A06N1,S4X(S
  TK100A06N1,S4X-ND
  TK100A06N1S4X
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 80V 214A TO220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK100A08N1,S4X
  仓库库存编号：TK100A08N1S4X-ND
  别名：TK100A08N1,S4X(S
  TK100A08N1,S4X-ND
  TK100A08N1S4X
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP030N10N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP030N10N3GXKSA1-ND
  别名：IPP030N10N3 G
  IPP030N10N3 G-ND
  IPP030N10N3G
  SP000680768
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP034NE7N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP034NE7N3GXKSA1-ND
  别名：IPP034NE7N3 G
  IPP034NE7N3 G-ND
  IPP034NE7N3G
  SP000641724
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 188W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP076N12N3 G
  仓库库存编号：IPP076N12N3 G-ND
  别名：IPP076N12N3G
  IPP076N12N3GXKSA1
  SP000652736
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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