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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 40V 100A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 4.7W（Ta）, 136W（Tc） TO-263AB（D2PAK）
  
  型号：DMTH4004SCTBQ-13
  仓库库存编号：DMTH4004SCTBQ-13DICT-ND
  别名：DMTH4004SCTBQ-13DICT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 167W（Tc） TO-220
  
  型号：TSM100N06CZ C0G
  仓库库存编号：TSM100N06CZ C0G-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 170W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN2R7-30PL,127
  仓库库存编号：1727-4389-ND
  别名：1727-4389
  568-5235
  568-5235-5
  568-5235-5-ND
  568-5235-ND
  934064005127
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 87W（Tc） TO-220
  
  型号：TK3R1E04PL,S1X
  仓库库存编号：TK3R1E04PLS1X-ND
  别名：TK3R1E04PL,S1X(S
  TK3R1E04PLS1X
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 2.3W（Ta）, 113W（Tc） TO-220-3
  
  型号：DMT6004SCT
  仓库库存编号：DMT6004SCTDI-5-ND
  别名：DMT6004SCTDI-5
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 234W（Tc） I2PAK
  
  型号：BUK7E3R1-40E,127
  仓库库存编号：1727-7244-ND
  别名：1727-7244
  568-9852-5
  568-9852-5-ND
  934066417127
  BUK7E3R140E127
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 269W（Tc） I2PAK
  
  型号：PSMN7R0-100ES,127
  仓库库存编号：1727-5897-ND
  别名：1727-5897
  568-7516-5
  568-7516-5-ND
  934064292127
  PSMN7R0-100ES,127-ND
  PSMN7R0100ES127
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI045N10N3 G
  仓库库存编号：IPI045N10N3 G-ND
  别名：IPI045N10N3G
  IPI045N10N3GXKSA1
  SP000482424
  SP000683068
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 100A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 1040W（Tc） TO-264
  
  型号：IXFK100N65X2
  仓库库存编号：IXFK100N65X2-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 100A DE475
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 445W（Tc） DE475
  
  型号：IXFZ140N25T
  仓库库存编号：IXFZ140N25T-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 25V 8PDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.2W（Ta） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：MCP87050T-U/MF
  仓库库存编号：MCP87050T-U/MFCT-ND
  别名：MCP87050T-U/MFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 31V 40V TO263 T&R
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 4.7W（Ta）, 136W（Tc） TO-263AB
  
  型号：DMTH4004SCTB-13
  仓库库存编号：DMTH4004SCTB-13DICT-ND
  别名：DMTH4004SCTB-13DICT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 100A F7 D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB100N6F7
  仓库库存编号：497-15894-1-ND
  别名：497-15894-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 4.7W（Ta）, 136W（Tc） TO-263AB
  
  型号：DMTH6004SCTB-13
  仓库库存编号：DMTH6004SCTB-13DICT-ND
  别名：DMTH6004SCTB-13DICT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 100A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 227W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD9407_F085
  仓库库存编号：FDD9407_F085CT-ND
  别名：FDD9407_F085CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 88W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN2R5-30YL,115
  仓库库存编号：1727-4164-1-ND
  别名：1727-4164-1
  568-4680-1
  568-4680-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  PSMN2R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 115W （Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN2R0-25YLDX
  仓库库存编号：1727-2498-1-ND
  别名：1727-2498-1
  568-12930-1
  568-12930-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  PSMN1R7-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 135W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN1R7-25YLDX
  仓库库存编号：1727-2497-1-ND
  别名：1727-2497-1
  568-12929-1
  568-12929-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 215W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN1R2-30YLC,115
  仓库库存编号：1727-5295-1-ND
  别名：1727-5295-1
  568-6724-1
  568-6724-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 
  
  无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 158W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK664R6-40C,118
  仓库库存编号：1727-5526-1-ND
  别名：1727-5526-1
  568-7005-1
  568-7005-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 含铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 238W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK9Y8R5-80EX
  仓库库存编号：1727-1127-1-ND
  别名：1727-1127-1
  568-10282-1
  568-10282-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 238W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN1R0-30YLDX
  仓库库存编号：1727-1859-1-ND
  别名：1727-1859-1
  568-11555-1
  568-11555-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB100N04S3-03
  仓库库存编号：IPB100N04S303ATMA1CT-ND
  别名：IPB100N04S3-03CT
  IPB100N04S3-03CT-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 204W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK662R5-30C,118
  仓库库存编号：1727-5520-1-ND
  别名：1727-5520-1
  568-6999-1
  568-6999-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 含铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 272W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN1R8-40YLC,115
  仓库库存编号：1727-1052-1-ND
  别名：1727-1052-1
  568-10156-1
  568-10156-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
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