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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 115W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB100N04S4H2ATMA1
  仓库库存编号：IPB100N04S4H2ATMA1CT-ND
  别名：IPB100N04S4H2ATMA1CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 211W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN2R0-30BL,118
  仓库库存编号：1727-7113-1-ND
  别名：1727-7113-1
  568-9483-1
  568-9483-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），104W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC040N08NS5ATMA1
  仓库库存编号：BSC040N08NS5ATMA1CT-ND
  别名：BSC040N08NS5ATMA1CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 263W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK763R9-60E,118
  仓库库存编号：1727-1066-1-ND
  别名：1727-1066-1
  568-10176-1
  568-10176-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 100A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI100N06S3L04XK
  仓库库存编号：IPI100N06S3L04XK-ND
  别名：IPI100N06S3L-04
  IPI100N06S3L-04-ND
  IPI100N06S3L-04IN
  IPI100N06S3L-04IN-ND
  IPI100N06S3L04X
  SP000102211
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 269W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN7R0-100BS,118
  仓库库存编号：1727-7214-1-ND
  别名：1727-7214-1
  568-9705-1
  568-9705-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 306W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN2R2-40BS,118
  仓库库存编号：1727-7118-1-ND
  别名：1727-7118-1
  568-9488-1
  568-9488-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP100N10S305AKSA1
  仓库库存编号：IPP100N10S305AKSA1-ND
  别名：IPP100N10S3-05
  IPP100N10S3-05-ND
  IPP100N10S305
  SP000407126
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 117W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN3R3-40YS,115
  仓库库存编号：1727-4633-1-ND
  别名：1727-4633-1
  568-5590-1
  568-5590-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 130W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN5R5-60YS,115
  仓库库存编号：1727-4284-1-ND
  别名：1727-4284-1
  568-4973-1
  568-4973-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 272W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN2R0-30YLE,115
  仓库库存编号：1727-1130-1-ND
  别名：1727-1130-1
  568-10285-1
  568-10285-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 198W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN1R0-40YLDX
  仓库库存编号：1727-1856-1-ND
  别名：1727-1856-1
  568-11552-1
  568-11552-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 80V 100A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 176W（Tc） TO-220
  
  型号：STP100N8F6
  仓库库存编号：497-15553-5-ND
  别名：497-15553-5
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 100A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 2500W（Tc） TO-264
  
  型号：FDL100N50F
  仓库库存编号：FDL100N50F-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 100A 56LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 349W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN0R9-30YLDX
  仓库库存编号：1727-1858-1-ND
  别名：1727-1858-1
  568-11554-1
  568-11554-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 167W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD031N06L3 G
  仓库库存编号：IPD031N06L3 GCT-ND
  别名：IPD031N06L3 GCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），156W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC035N10NS5ATMA1
  仓库库存编号：BSC035N10NS5ATMA1CT-ND
  别名：BSC035N10NS5ATMA1CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 23A 6-PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 156W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH7085TRPBF
  仓库库存编号：IRFH7085TRPBFCT-ND
  别名：IRFH7085TRPBFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF1407STRLPBF
  仓库库存编号：IRF1407STRLPBFCT-ND
  别名：IRF1407STRLPBFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 60V 100A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 3.9W（Ta）, 180W（Tc） TO-252-4L
  
  型号：DMTH6004SK3Q-13
  仓库库存编号：DMTH6004SK3Q-13DICT-ND
  别名：DMTH6004SK3Q-13DICT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 114W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN3R4-30BL,118
  仓库库存编号：1727-7115-1-ND
  别名：1727-7115-1
  568-9485-1
  568-9485-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 100A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR626DP-T1-RE3
  仓库库存编号：SIR626DP-T1-RE3CT-ND
  别名：SIR626DP-T1-RE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN2R7-30BL,118
  仓库库存编号：1727-7114-1-ND
  别名：1727-7114-1
  568-9484-1
  568-9484-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 211W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN2R8-40BS,118
  仓库库存编号：1727-7119-1-ND
  别名：1727-7119-1
  568-9489-1
  568-9489-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 100A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR680DP-T1-RE3
  仓库库存编号：SIR680DP-T1-RE3CT-ND
  别名：SIR680DP-T1-RE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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