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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 120V 100A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 136W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL100N12F7
  仓库库存编号：STL100N12F7-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 263W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK762R6-40E,118
  仓库库存编号：1727-1065-1-ND
  别名：1727-1065-1
  568-10175-1
  568-10175-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 270W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN1R8-30BL,118
  仓库库存编号：1727-7112-1-ND
  别名：1727-7112-1
  568-9482-1
  568-9482-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 211W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN4R6-60PS,127
  仓库库存编号：1727-4663-ND
  别名：1727-4663
  568-5780
  568-5780-5
  568-5780-5-ND
  568-5780-ND
  934064296127
  PSMN4R6-60PS,127-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 100A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 4.7W（Ta）, 136W（Tc） TO-263AB
  
  型号：DMTH6004SCTBQ-13
  仓库库存编号：DMTH6004SCTBQ-13DICT-ND
  别名：DMTH6004SCTBQ-13DICT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 60V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 2.8W（Ta）, 136W（Tc） TO-220-3
  
  型号：DMTH6004SCT
  仓库库存编号：DMTH6004SCTDI-5-ND
  别名：DMTH6004SCTDI-5
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 395W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SUG90090E-GE3
  仓库库存编号：SUG90090E-GE3CT-ND
  别名：SUG90090E-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 100A TO247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 500W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SUG80050E-GE3
  仓库库存编号：SUG80050E-GE3CT-ND
  别名：SUG80050E-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 158W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK663R5-30C,118
  仓库库存编号：1727-5522-1-ND
  别名：1727-5522-1
  568-7001-1
  568-7001-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 含铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 30V 100A POWERDI
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 1.2W（Ta）, 136W（Tc） PowerDI5060-8
  
  型号：DMTH3002LPS-13
  仓库库存编号：DMTH3002LPS-13-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRA90DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIRA90DP-T1-GE3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRA90DP-T1-RE3
  仓库库存编号：SIRA90DP-T1-RE3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 40V 100A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 3.9W（Ta）, 180W（Tc） TO-252-4L
  
  型号：DMTH4004LK3-13
  仓库库存编号：DMTH4004LK3-13-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 30V 100A POWERDI
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 1.2W（Ta）, 136W（Tc） PowerDI5060-8
  
  型号：DMT3002LPS-13
  仓库库存编号：DMT3002LPS-13-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 204W（Tc） I2PAK
  
  型号：BUK6E3R4-40C,127
  仓库库存编号：1727-5889-ND
  别名：1727-5889
  568-7506-5
  568-7506-5-ND
  934064224127
  BUK6E3R4-40C,127-ND
  BUK6E3R440C127
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 含铅
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 57W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRA60DP-T1-RE3
  仓库库存编号：SIRA60DP-T1-RE3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 83W（Tc） TO-252AA
  
  型号：SQD100N02-3M5L_GE3
  仓库库存编号：SQD100N02-3M5L_GE3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 25V 100A 8PDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 100A（Tc） 2.2W（Ta） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：MCP87030T-U/MF
  仓库库存编号：MCP87030T-U/MFCT-ND
  别名：MCP87030T-U/MFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 136W（Tc） TO-252AA
  
  型号：SQD100N03-3M4_GE3
  仓库库存编号：SQD100N03-3M4_GE3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 136W（Tc） TO-252AA
  
  型号：SQD100N04-3M6_GE3
  仓库库存编号：SQD100N04-3M6_GE3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 136W（Tc） TO-252AA
  
  型号：SQD100N04-3M6L_GE3
  仓库库存编号：SQD100N04-3M6L_GE3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 136W（Tc） TO-252AA
  
  型号：SQD100N03-3M2L_GE3
  仓库库存编号：SQD100N03-3M2L_GE3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR638DP-T1-RE3
  仓库库存编号：SIR638DP-T1-RE3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 100A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 227W（Tj） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD9407L_F085
  仓库库存编号：FDD9407L_F085CT-ND
  别名：FDD9407L_F085CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 40V 100A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 3.9W（Ta）, 180W（Tc） TO-252-4L
  
  型号：DMTH4004SK3Q-13
  仓库库存编号：DMTH4004SK3Q-13-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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