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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 19A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Tc） 71W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD6416ANLT4G
  仓库库存编号：NTD6416ANLT4GOSCT-ND
  别名：NTD6416ANLT4GOSCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 19A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 19A TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 19A（Tc） 2.7W（Ta），46W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD19P06-60L-E3
  仓库库存编号：SUD19P06-60L-E3CT-ND
  别名：SUD19P06-60L-E3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 19A（Tc）,
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• Cree/Wolfspeed
  MOSFET N-CH 1200V 19A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 19A（Tc） 125W（Tc） TO-247-3
  
  型号：C2M0160120D
  仓库库存编号：C2M0160120D-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 19A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 19A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9Z34NSTRLPBF
  仓库库存编号：IRF9Z34NSTRLPBFCT-ND
  别名：IRF9Z34NSTRLPBFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 19A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 19A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 19A（Tc） 68W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF9Z34NPBF
  仓库库存编号：IRF9Z34NPBF-ND
  别名：*IRF9Z34NPBF
  SP001560182
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 19A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 19A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 19A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF9540PBF
  仓库库存编号：IRF9540PBF-ND
  别名：*IRF9540PBF
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 19A（Tc）,
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  无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 19A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Tc） 179W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：SIHB20N50E-GE3
  仓库库存编号：SIHB20N50E-GE3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 19A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 19A（Tc） 3.7W（Ta），150W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9540SPBF
  仓库库存编号：IRF9540SPBF-ND
  别名：IRF9540SPBFCT
  IRF9540SPBFCT-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 19A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 850V 19A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 19A（Tc） 250W（Tc） TO-247
  
  型号：STW23N85K5
  仓库库存编号：497-14581-5-ND
  别名：497-14581-5
  STW23N85K5-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 19A（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V MLFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 19A（Tc） 31W（Tc） LFPAK33
  
  型号：BUK7M45-40EX
  仓库库存编号：1727-2563-1-ND
  别名：1727-2563-1
  568-13007-1
  568-13007-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 19A（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 19A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 19A（Tc） 56W（Tc） D2PAK
  
  型号：PHB21N06LT,118
  仓库库存编号：1727-4762-1-ND
  别名：1727-4762-1
  568-5939-1
  568-5939-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 19A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 19A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD19N20-90-E3
  仓库库存编号：SUD19N20-90-E3CT-ND
  别名：SUD19N20-90-E3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 19A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 19A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 19A（Tc） 215W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP19N40
  仓库库存编号：FDP19N40-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 19A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 19A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 19A（Tc） 46W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFI4229PBF
  仓库库存编号：IRFI4229PBF-ND
  别名：SP001575824
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 19A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  N-CHANNEL_55/60V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD15N06S2L64ATMA2
  仓库库存编号：IPD15N06S2L64ATMA2CT-ND
  别名：IPD15N06S2L64ATMA2CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 19A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 19A VSON-4
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Tc） 81W（Tc） PG-VSON-4
  
  型号：IPL60R185P7AUMA1
  仓库库存编号：IPL60R185P7AUMA1CT-ND
  别名：IPL60R185P7AUMA1CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 19A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 19A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 19A（Tc） 139W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP19N20C
  仓库库存编号：FQP19N20C-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 19A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 19A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 19A（Tc） 43W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF19N20C
  仓库库存编号：FQPF19N20C-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 19A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 19A（Tc） 3.7W（Ta），150W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9540STRLPBF
  仓库库存编号：IRF9540STRLPBFCT-ND
  别名：IRF9540STRLPBFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 19A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 25A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 19A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF25N10F7
  仓库库存编号：497-14553-5-ND
  别名：497-14553-5
  STF25N10F7-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 19A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 19A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 19A（Tc） 239W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FDA18N50
  仓库库存编号：FDA18N50-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 19A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 19A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 19A（Tc） 34W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHA20N50E-E3
  仓库库存编号：SIHA20N50E-E3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 19A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 19A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 19A（Tc） 500W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT18M80B
  仓库库存编号：APT18M80B-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 19A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 19A（Tc） 545W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT19M120J
  仓库库存编号：APT19M120J-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 19A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 19A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Tc） 3.13W（Ta），139W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB19N20CTM
  仓库库存编号：FQB19N20CTMCT-ND
  别名：FQB19N20CTMCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 19A（Tc）,
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