规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 89A(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 89A(Tc) 117W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN7R0-60YS,115
仓库库存编号:
1727-4635-1-ND
别名:1727-4635-1
568-5596-1
568-5596-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 89A(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 89A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 89A(Tc) 211W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN9R5-100BS,118
仓库库存编号:
1727-7218-1-ND
别名:1727-7218-1
568-9709-1
568-9709-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 89A(Tc),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 89A(Tc) 211W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN9R5-100PS,127
仓库库存编号:
1727-4664-ND
别名:1727-4664
568-5781
568-5781-5
568-5781-5-ND
568-5781-ND
934064327127
PSMN9R5-100PS,127-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 89A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 89A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 89A(Tc) 42W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA028N08N3 G
仓库库存编号:
IPA028N08N3 G-ND
别名:IPA028N08N3G
IPA028N08N3GXKSA1
SP000446770
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 89A(Tc),
无铅
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Texas Instruments
40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF
详细描述:表面贴装 N 沟道 89A(Tc) 74W(Tc) 8-VSONP(5x6)
型号:
CSD18514Q5AT
仓库库存编号:
296-45232-1-ND
别名:296-45232-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 89A(Tc),
含铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 89A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 89A(Tc) 195W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK7Y9R9-80EX
仓库库存编号:
1727-1489-1-ND
别名:1727-1489-1
568-10969-1
568-10969-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 89A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 89A
详细描述:表面贴装 N 沟道 89A(Tc) 96W(Tc) DirectFET? Isometric ME
型号:
IRF7780MTRPBF
仓库库存编号:
IRF7780MTRPBFCT-ND
别名:IRF7780MTRPBFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 89A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 89A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 89A(Tc) 170W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3705NPBF
仓库库存编号:
IRL3705NPBF-ND
别名:*IRL3705NPBF
SP001578520
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 89A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 89A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3705NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRL3705NSTRLPBFCT-ND
别名:IRL3705NSTRLPBFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 89A(Tc),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333
详细描述:表面贴装 P 沟道 89A(Tc) 2.2W(Ta) PowerDI3333-8
型号:
DMP2005UFG-13
仓库库存编号:
DMP2005UFG-13-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 89A(Tc),
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333
详细描述:表面贴装 P 沟道 89A(Tc) 2.2W(Ta) PowerDI3333-8
型号:
DMP2005UFG-7
仓库库存编号:
DMP2005UFG-7-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 89A(Tc),
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 89A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3705NS
仓库库存编号:
IRL3705NS-ND
别名:*IRL3705NS
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 89A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 89A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3705NSTRL
仓库库存编号:
IRL3705NSTRL-ND
别名:SP001571922
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 89A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 89A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 89A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) TO-262
型号:
IRL3705NL
仓库库存编号:
IRL3705NL-ND
别名:*IRL3705NL
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 89A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 89A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3705NSTRR
仓库库存编号:
IRL3705NSTRR-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 89A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 89A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 89A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) TO-262
型号:
IRL3705NLPBF
仓库库存编号:
IRL3705NLPBF-ND
别名:*IRL3705NLPBF
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 89A(Tc),
无铅
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