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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.8A（Ta） 2W（Ta） SOT-223
  
  型号：ZXMN6A25GTA
  仓库库存编号：ZXMN6A25GTACT-ND
  别名：ZXMN6A25GTACT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.8A（Ta）,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 45V 4.8A TSOT26
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.8A（Ta） 1.2W（Ta） TSOT-26
  
  型号：DMN4060SVT-7
  仓库库存编号：DMN4060SVT-7DICT-ND
  别名：DMN4060SVT-7DICT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.8A（Ta）,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P CH 30V 4.8A 8-SO
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.8A（Ta） 1.7W（Ta） 8-SO
  
  型号：DMP3050LSS-13
  仓库库存编号：DMP3050LSS-13DICT-ND
  别名：DMP3050LSS-13DICT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.8A（Ta）,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.8A（Ta） 900mW（Ta） U-WLB1010-4
  
  型号：DMN1032UCB4-7
  仓库库存编号：DMN1032UCB4-7DICT-ND
  别名：DMN1032UCB4-7DICT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.8A（Ta）,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 4.8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.8A（Ta） 800mW（Ta） 8-SOIC
  
  型号：NTMS7N03R2G
  仓库库存编号：NTMS7N03R2GOSCT-ND
  别名：NTMS7N03R2GOSCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.8A（Ta）,
• 无铅
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 40V 4.8A PS-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.8A（Ta） 840mW（Ta） PS-8 (2.9x2.4)
  
  型号：TPCP8103-H(TE85LFM
  仓库库存编号：TPCP8103-H(TE85LFMCT-ND
  别名：TPCP8103-H(TE85LFMCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.8A（Ta）,
• 
  
  无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 20V SC-74
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.8A（Ta） 530mW（Ta）, 4.46W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：PMN30UNEX
  仓库库存编号：1727-2697-1-ND
  别名：1727-2697-1
  568-13216-1
  568-13216-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.8A（Ta）,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 60V 4.8A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.8A（Ta） 1.1W（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMP6050SFG-7
  仓库库存编号：DMP6050SFG-7DICT-ND
  别名：DMP6050SFG-7DICT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.8A（Ta）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 4.8A 2X2 4-MFP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.8A（Ta） 1.47W（Ta） 4-Microfoot
  
  型号：SI8413DB-T1-E1
  仓库库存编号：SI8413DB-T1-E1CT-ND
  别名：SI8413DB-T1-E1CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.8A（Ta）,
• 无铅
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 4.8A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 4.8A（Ta） 510mW（Ta） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：PMV20XN,215
  仓库库存编号：568-7534-1-ND
  别名：568-7534-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.8A（Ta）,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 4.8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 4.8A（Ta） 800mW（Ta） 8-SOIC
  
  型号：NTMS7N03R2
  仓库库存编号：NTMS7N03R2OS-ND
  别名：NTMS7N03R2OS
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.8A（Ta）,
• 含铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 4.8A（Ta） 2W（Ta） SOT-223
  
  型号：ZXMN6A25G
  仓库库存编号：ZXMN6A25GCT-ND
  别名：ZXMN6A25GCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.8A（Ta）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.8A（Ta） 1.8W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4484EY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4484EY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4484EY-T1-E3CT
  SI4484EYT1E3
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.8A（Ta）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.8A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5433BDC-T1-E3
  仓库库存编号：SI5433BDC-T1-E3CT-ND
  别名：SI5433BDC-T1-E3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.8A（Ta）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.8A（Ta） 1.8W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4484EY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4484EY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4484EY-T1-GE3CT
  SI4484EYT1GE3
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.8A（Ta）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.8A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5433BDC-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5433BDC-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5433BDC-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.8A（Ta）,
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