规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 44A(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(100)
分立半导体产品
(100)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (1)
Diodes Incorporated (1)
Infineon Technologies (18)
IXYS (43)
Microsemi Corporation (3)
Nexperia USA Inc. (4)
Fairchild/ON Semiconductor (20)
STMicroelectronics (3)
Taiwan Semiconductor Corporation (6)
Vishay Siliconix (1)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 44A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80V 44A(Tc) 127W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP44N08
仓库库存编号:
FQP44N08-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 44A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 44A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 44A(Tc) 155W(Tc) TO-220AB
型号:
HUFA75637P3
仓库库存编号:
HUFA75637P3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 44A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 44A(Tc) 155W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUF75637S3ST
仓库库存编号:
HUF75637S3ST-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 44A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 44A(Tc) 155W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUF75637S3S
仓库库存编号:
HUF75637S3S-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 44A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 44A(Tc) 155W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUFA75637S3S
仓库库存编号:
HUFA75637S3S-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 44A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 44A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 44A(Tc) 155W(Tc) TO-220AB
型号:
HUF75637P3
仓库库存编号:
HUF75637P3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 44A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 44A(Tc) 155W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUFA75637S3ST
仓库库存编号:
HUFA75637S3ST-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 44A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 44A TO-3PF
详细描述:通孔 N 沟道 80V 44A(Tc) 85W(Tc) TO-3PF
型号:
FQAF58N08
仓库库存编号:
FQAF58N08-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 44A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 44A TO-3PF
详细描述:通孔 N 沟道 150V 44A(Tc) 130W(Tc) TO-3PF
型号:
FQAF70N15
仓库库存编号:
FQAF70N15-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 44A(Tc),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 550V 44A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 550V 44A(Tc) 463W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT5510JFLL
仓库库存编号:
APT5510JFLL-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 44A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 100V 44A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 100V 44A(Tc) TO-251
型号:
IXTU44N10T
仓库库存编号:
IXTU44N10T-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 44A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 44A(Tc) 155W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUF75637S3_NR4895
仓库库存编号:
HUF75637S3_NR4895-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 44A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 44A(Tc) 520W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN44N50U2
仓库库存编号:
IXFN44N50U2-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 44A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 44A(Tc) 520W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN44N50U3
仓库库存编号:
IXFN44N50U3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 44A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 44A TO264
详细描述:通孔 N 沟道 500V 44A(Tc) 500W(Tc) TO-264(IXFK)
型号:
IXFK44N50F
仓库库存编号:
IXFK44N50F-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 44A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 44A(Tc) 107W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR1205
仓库库存编号:
IRFR1205-ND
别名:*IRFR1205
SP001578028
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 44A(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 44A(Tc) 62W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8503
仓库库存编号:
IRLR8503-ND
别名:*IRLR8503
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 44A(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 44A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 44A(Tc) 107W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU1205
仓库库存编号:
IRFU1205-ND
别名:*IRFU1205
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 44A(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 44A(Tc) 107W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR1205TRL
仓库库存编号:
IRFR1205TRL-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 44A(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 44A(Tc) 107W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR1205TRR
仓库库存编号:
IRFR1205TRR-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 44A(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 44A(Tc) 62W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8503TRL
仓库库存编号:
IRLR8503TRL-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 44A(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 44A(Tc) 62W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8503TR
仓库库存编号:
IRLR8503TR-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 44A(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 44A(Tc) 62W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8503TRR
仓库库存编号:
IRLR8503TRR-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 44A(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 44A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 44A(Tc) 2.4W(Ta),330W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB42N20D
仓库库存编号:
IRFB42N20D-ND
别名:*IRFB42N20D
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 44A(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 44A(Tc) 62W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8503TRPBF
仓库库存编号:
IRLR8503PBFCT-ND
别名:*IRLR8503TRPBF
IRLR8503PBFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 44A(Tc),
无铅
搜索
1
2
3
4
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号