规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Ta),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 5.6A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.6A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7414DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7414DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7414DN-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 5.6A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.6A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7414DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7414DN-T1-E3CT-ND
别名:SI7414DN-T1-E3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.6A(Ta) 1.8W(Ta) SOT-223
型号:
DMN3032LE-13
仓库库存编号:
DMN3032LE-13DICT-ND
别名:DMN3032LE-13DICT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.6A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SOIC
型号:
MMSF3P02HDR2G
仓库库存编号:
MMSF3P02HDR2GOSCT-ND
别名:MMSF3P02HDR2GOSCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 5.6A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.6A(Ta) 2W(Ta) Micro6?(TSOP-6)
型号:
IRLMS6802TRPBF
仓库库存编号:
IRLMS6802PBFCT-ND
别名:*IRLMS6802TRPBF
IRLMS6802PBFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.6A(Ta) 700mW(Ta),39W(Tc) 8-TSON Advance(3.3x3.3)
型号:
TPN2010FNH,L1Q
仓库库存编号:
TPN2010FNHL1QCT-ND
别名:TPN2010FNHL1QCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 5.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.6A(Ta) 1.9W(Ta) 8-SO
型号:
ZXMP3A16N8TA
仓库库存编号:
ZXMP3A16N8CT-ND
别名:ZXMP3A16N8CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.6A(Ta) 1.6W(Ta),42W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPH2010FNH,L1Q
仓库库存编号:
TPH2010FNHL1QCT-ND
别名:TPH2010FNHL1QCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 5.6A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SOIC
型号:
MMSF3P02HDR2
仓库库存编号:
MMSF3P02HDR2OSCT-ND
别名:MMSF3P02HDR2OSCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Ta),
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 5.6A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SOIC
型号:
MMSF3P02HDR2SG
仓库库存编号:
MMSF3P02HDR2SG-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 5.6A(Ta) 1.25W(Ta) 8-SO
型号:
SI9424BDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI9424BDY-T1-E3CT-ND
别名:SI9424BDY-T1-E3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 5.6A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 5.6A(Ta) 1.25W(Ta) 8-SO
型号:
SI9424BDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI9424BDY-T1-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Ta),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:通孔 N 沟道 500V 5.6A(Ta) 90W(Tc) TO-251(IPAK)
型号:
TSM6N50CH C5G
仓库库存编号:
TSM6N50CH C5G-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Ta),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 5.6A(Ta) 90W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM6N50CP ROG
仓库库存编号:
TSM6N50CP ROGTR-ND
别名:TSM6N50CP ROGTR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Ta),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 5.6A(Ta) 90W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM6N50CP ROG
仓库库存编号:
TSM6N50CP ROGCT-ND
别名:TSM6N50CP ROGCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Ta),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 5.6A(Ta) 90W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM6N50CP ROG
仓库库存编号:
TSM6N50CP ROGDKR-ND
别名:TSM6N50CP ROGDKR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 5.6A(Ta) 1.8W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7603TR
仓库库存编号:
IRF7603CT-ND
别名:*IRF7603TR
IRF7603
IRF7603CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 5.6A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 5.6A(Ta) 2W(Ta) Micro6?(SOT23-6)
型号:
IRLMS6802TR
仓库库存编号:
IRLMS6802CT-ND
别名:*IRLMS6802TR
IRLMS6802
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MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 5.6A(Ta) 1.8W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7603TRPBF
仓库库存编号:
IRF7603TRPBFCT-ND
别名:IRF7603TRPBFCT
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