规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 29A(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 29A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 29A(Tc) 320W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR40N50Q2
仓库库存编号:
IXFR40N50Q2-ND
别名:Q2467741A
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 29A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 29A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 29A(Tc) 75W(Tc) TO-220AB
型号:
HUF76419P3
仓库库存编号:
HUF76419P3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 29A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 29A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 29A(Tc) 75W(Tc) TO-220AB
型号:
HUFA76419P3
仓库库存编号:
HUFA76419P3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 29A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 29A(Tc) 75W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUFA76419S3S
仓库库存编号:
HUFA76419S3S-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 29A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 29A(Tc) 75W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUF76419S3S
仓库库存编号:
HUF76419S3S-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 29A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 29A(Tc) 75W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUF76419S3ST
仓库库存编号:
HUF76419S3ST-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 29A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 29A(Tc) 75W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUFA76419S3ST
仓库库存编号:
HUFA76419S3ST-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 29A(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 800V 29A(Tc) 460W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT8024JLL
仓库库存编号:
APT8024JLL-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 29A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 29A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 29A(Tc) 3W(Ta),6.6W(Tc) 8-SO
型号:
SI4362BDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4362BDY-T1-E3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 29A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 29A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 29A(Tc) 3W(Ta),6.6W(Tc) 8-SO
型号:
SI4362BDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4362BDY-T1-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 29A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 600V 29A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP30N60E-E3
仓库库存编号:
SIHP30N60E-E3-ND
别名:SIHP30N60EE3
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 29A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 29A(Tc) 250W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
SIHB30N60E-E3
仓库库存编号:
SIHB30N60E-E3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 29A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 29A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ34NS
仓库库存编号:
IRFZ34NS-ND
别名:*IRFZ34NS
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 29A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 29A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ34NSTRR
仓库库存编号:
IRFZ34NSTRR-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 29A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 29A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 29A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) TO-262
型号:
IRFZ34NL
仓库库存编号:
IRFZ34NL-ND
别名:*IRFZ34NL
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 29A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 29A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 29A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) TO-262
型号:
IRFZ34NLPBF
仓库库存编号:
IRFZ34NLPBF-ND
别名:*IRFZ34NLPBF
SP001557826
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 29A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 29A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 29A(Tc) 68W(Tc) P-TO252-3
型号:
SPD25N06S2-40
仓库库存编号:
SPD25N06S2-40-ND
别名:SP000013572
SPD25N06S240T
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 29A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 29A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 29A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD25N06S240ATMA1
仓库库存编号:
IPD25N06S240ATMA1TR-ND
别名:IPD25N06S2-40
IPD25N06S2-40-ND
SP000252164
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 29A(Tc),
无铅
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