规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 36A(Tc),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 36A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 36A(Tc) 3.5W(Ta),7.8W(Tc) 8-SO
型号:
SI4154DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4154DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4154DY-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 36A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 36A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 36A(Tc) 3.5W(Ta),7.8W(Tc) 8-SO
型号:
SI4497DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4497DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4497DY-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 36A(Tc),
无铅
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Cree/Wolfspeed
MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3
详细描述:通孔 N 沟道 36A(Tc) 125W(Tc) TO-247-3
型号:
C3M0065090D
仓库库存编号:
C3M0065090D-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 36A(Tc),
无铅
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Transphorm
GAN FET 650V 36A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 36A(Tc) 125W(Tc) TO-247
型号:
TPH3205WSB
仓库库存编号:
TPH3205WSB-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 36A(Tc),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV
详细描述:表面贴装 P 沟道 36A(Tc) 42W(Tc) 8-TSON Advance(3.3x3.3)
型号:
TPN4R712MD,L1Q
仓库库存编号:
TPN4R712MDL1QCT-ND
别名:TPN4R712MDL1QCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 36A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 36A(Tc) 125W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC320N20NS3 G
仓库库存编号:
BSC320N20NS3 GCT-ND
别名:BSC320N20NS3 GCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 36A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 36A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 36A(Tc) 140W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL540NPBF
仓库库存编号:
IRL540NPBF-ND
别名:*IRL540NPBF
SP001576440
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 36A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 36A SUPER247
详细描述:通孔 N 沟道 36A(Tc) 446W(Tc) SUPER-247(TO-274AA)
型号:
IRFPS37N50APBF
仓库库存编号:
IRFPS37N50APBF-ND
别名:*IRFPS37N50APBF
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 36A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 36A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 36A(Tc) 650W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH36N60P
仓库库存编号:
IXFH36N60P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 36A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 36A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 36A(Tc) 417W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW90R120C3
仓库库存编号:
IPW90R120C3-ND
别名:IPW90R120C3FKSA1
IPW90R120C3XK
Q4173182
SP000413750
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 36A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 36A(Tc) 700W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN36N100
仓库库存编号:
IXFN36N100-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 36A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 36A(Tc) 92W(Tc) D2PAK
型号:
IRF540ZSTRLPBF
仓库库存编号:
IRF540ZSTRLPBFCT-ND
别名:IRF540ZSTRLPBFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 36A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 36A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 36A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP36N30P
仓库库存编号:
IXTP36N30P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 36A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 36A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 36A(Tc) 300W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA36N30P
仓库库存编号:
IXTA36N30P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 36A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 150V 36A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 36A(Tc) 300W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA36P15P
仓库库存编号:
IXTA36P15P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 36A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 36A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 36A(Tc) 312W(Tc) TO-220-3
型号:
FCP36N60N
仓库库存编号:
FCP36N60N-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 36A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3
详细描述:表面贴装 N 沟道 36A(Tc) 540W(Tc) TO-268
型号:
IXFT36N50P
仓库库存编号:
IXFT36N50P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 36A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 36A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 36A(Tc) 92W(Tc) TO-262
型号:
IRF540ZLPBF
仓库库存编号:
IRF540ZLPBF-ND
别名:*IRF540ZLPBF
SP001559652
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 36A(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 36A(Tc) 27.8W(Tc) 8-PDFN(3x3)
型号:
TSM150P03PQ33 RGG
仓库库存编号:
TSM150P03PQ33 RGGTR-ND
别名:TSM150P03PQ33 RGGTR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 36A(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 36A(Tc) 27.8W(Tc) 8-PDFN(3x3)
型号:
TSM150P03PQ33 RGG
仓库库存编号:
TSM150P03PQ33 RGGCT-ND
别名:TSM150P03PQ33 RGGCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 36A(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 36A(Tc) 27.8W(Tc) 8-PDFN(3x3)
型号:
TSM150P03PQ33 RGG
仓库库存编号:
TSM150P03PQ33 RGGDKR-ND
别名:TSM150P03PQ33 RGGDKR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 36A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 36A SUPER-247
详细描述:通孔 N 沟道 36A(Tc) 446W(Tc) SUPER-247(TO-274AA)
型号:
SIHS36N50D-E3
仓库库存编号:
SIHS36N50D-E3-ND
别名:SIHS36N50DE3
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 36A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 36A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 36A(Tc) TO-220F-3
型号:
FCPF36N60NT
仓库库存编号:
FCPF36N60NT-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 36A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 36A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) D2PAK
型号:
IRL540NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRL540NSTRLPBFCT-ND
别名:IRL540NSTRLPBFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 36A(Tc),
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 36A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 36A(Tc) 300W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ36N30P
仓库库存编号:
IXTQ36N30P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 36A(Tc),
无铅
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