规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta） 5.4W（Ta） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7336ADP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7336ADP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7336ADP-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta） 5.4W（Ta） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7336ADP-T1-E3
仓库库存编号：
SI7336ADP-T1-E3CT-ND
别名：SI7336ADP-T1-E3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 30A 5LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta） 15W（Tc） LFPAK
型号：
HAT2168H-EL-E
仓库库存编号：
HAT2168H-EL-ECT-ND
别名：HAT2168H-EL-ECT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 40V 30A ATPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 30A（Ta） 40W（Tc） ATPAK
型号：
ATP106-TL-H
仓库库存编号：
869-1075-1-ND
别名：869-1075-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 30A 8HSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta） 3W（Ta），35W（Tc） 8-HSOP
型号：
RS1G300GNTB
仓库库存编号：
RS1G300GNTBCT-ND
别名：RS1G300GNTBCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 30A
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Ta） 2W（Ta），25W（Tc） TO-220F-3SG
型号：
2SK3703-1E
仓库库存编号：
2SK3703-1EOS-ND
别名：2SK3703-1E-ND
2SK3703-1EOS
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta） 3W（Ta），33W（Tc） 8-HSOP
型号：
RS1E300GNTB
仓库库存编号：
RS1E300GNTBCT-ND
别名：RS1E300GNTBCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta） 2.3W（Ta） PowerDI3333-8
型号：
DMT32M5LFG-13
仓库库存编号：
DMT32M5LFG-13-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta） 2.3W（Ta） PowerDI3333-8
型号：
DMT32M5LFG-7
仓库库存编号：
DMT32M5LFG-7-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 30A WPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta） 30W（Tc） 8-WPAK
型号：
RJK03M5DPA-00#J5A
仓库库存编号：
RJK03M5DPA-00#J5A-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 30A DPAK-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta） 58W（Tc） DPAK+
型号：
TK30S06K3L(T6L1,NQ
仓库库存编号：
TK30S06K3L(T6L1NQ-ND
别名：TK30S06K3L(T6L1NQ
TK30S06K3LT6L1NQ
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Ta） LFPAK
型号：
RJK0305DPB-02#J0
仓库库存编号：
RJK0305DPB-02#J0TR-ND
别名：RJK0305DPB-02#J0-ND
RJK0305DPB-02#J0TR
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 60V 30A DPAK-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 30A（Ta） 68W（Tc） DPAK+
型号：
TJ30S06M3L(T6L1,NQ
仓库库存编号：
TJ30S06M3L(T6L1NQ-ND
别名：TJ30S06M3L(T6L1NQ
TJ30S06M3LT6L1NQ
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 30A LPTS
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 30A（Ta） 50W（Tc） LPTS
型号：
RSJ300N10TL
仓库库存编号：
RSJ300N10TL-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 60V 30A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Ta） 23W（Tc） LFPAK
型号：
HAT2266H-EL-E
仓库库存编号：
HAT2266H-EL-E-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta） 60W（Tc） LFPAK
型号：
RJK0855DPB-00#J5
仓库库存编号：
RJK0855DPB-00#J5TR-ND
别名：RJK0855DPB-00#J5-ND
RJK0855DPB-00#J5TR
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 80V 30A 5LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta） 25W（Tc） LFPAK
型号：
HAT2279H-EL-E
仓库库存编号：
HAT2279H-EL-E-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 60V TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Ta） 40W（Tc） TO-220F
型号：
2SK2420
仓库库存编号：
2SK2420-ND
别名：2SK2420 DK
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 300V 30A TO-3PF
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Ta） 85W（Tc） TO-3PF
型号：
FKP300A
仓库库存编号：
FKP300A-ND
别名：FKP300A DK
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 330V 30A TO-3PF
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Ta） 85W（Tc） TO-3P
型号：
FKP330C
仓库库存编号：
FKP330C-ND
别名：FKP330C DK
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 30A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 30A（Ta） 96W（Tc） TO-220AB
型号：
RFP30N06LE
仓库库存编号：
RFP30N06LE-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 24V 30A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 24V 30A（Ta） 75W（Tj） DPAK-3
型号：
NTD30N02T4
仓库库存编号：
NTD30N02T4OS-ND
别名：NTD30N02T4OS
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Ta） 88.2W（Tc） D2PAK
型号：
NTB30N06LT4
仓库库存编号：
NTB30N06LT4OS-ND
别名：NTB30N06LT4OS
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 30A（Ta） 88.2W（Tc） TO-220AB
型号：
NTP30N06L
仓库库存编号：
NTP30N06LOS-ND
别名：NTP30N06LOS
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
含铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Ta） 15W（Tc） LFPAK
型号：
HAT2116H-EL-E
仓库库存编号：
HAT2116H-EL-E-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
无铅
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