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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Ta） 88.2W（Tc） D2PAK
  
  型号：NTB30N06LT4G
  仓库库存编号：NTB30N06LT4GOS-ND
  别名：NTB30N06LT4GOS
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 30A（Ta） 88.2W（Tc） TO-220AB
  
  型号：NTP30N06LG
  仓库库存编号：NTP30N06LGOS-ND
  别名：NTP30N06LGOS
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 30A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 30A（Ta） 214W（Tc） TO-220AB
  
  型号：NTP30N20G
  仓库库存编号：NTP30N20GOS-ND
  别名：NTP30N20GOS
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Ta） 88.2W（Tc） D2PAK
  
  型号：NTB30N06L
  仓库库存编号：NTB30N06L-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
• 含铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Ta） 88.2W（Tc） D2PAK
  
  型号：NTB30N06LG
  仓库库存编号：NTB30N06LG-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 30A（Ta） 2W（Ta），214W（Tc） D2PAK
  
  型号：NTB30N20
  仓库库存编号：NTB30N20-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
• 含铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 24V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24V 30A（Ta） 75W（Tj） DPAK-3
  
  型号：NTD30N02G
  仓库库存编号：NTD30N02G-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
• 无铅
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 250V 30A TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 30A（Ta） 150W（Tc） TO-3P（N）
  
  型号：2SK2967(F)
  仓库库存编号：2SK2967(F)-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
• 无铅
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 250V 30A TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 30A（Ta） 90W（Tc） TO-3P（N）IS
  
  型号：2SK2995(F)
  仓库库存编号：2SK2995(F)-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 30A（Ta） 2W（Ta），214W（Tc） D2PAK
  
  型号：NTB30N20T4G
  仓库库存编号：NTB30N20T4GOSCT-ND
  别名：NTB30N20T4GOSCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Ta） 68W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD5413NT4G
  仓库库存编号：NTD5413NT4G-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
• 无铅
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 30A SOP-8 ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8018-H(TE12LQM
  仓库库存编号：TPCA8018-H(TE12LQM-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 30A TO-220ML
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 30A（Ta） 2W（Ta），30W（Tc） TO-220ML
  
  型号：2SK3708
  仓库库存编号：869-1039-ND
  别名：869-1039
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 30A（Ta） 20W（Tc） LFPAK
  
  型号：HAT2172H-EL-E
  仓库库存编号：HAT2172H-EL-E-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 30A TO-220ML
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 30A（Ta） 2W（Ta），25W（Tc） TO-220ML
  
  型号：2SK3703
  仓库库存编号：2SK3703-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Ta） 55W（Tc） LFPAK
  
  型号：RJK0654DPB-00#J5
  仓库库存编号：RJK0654DPB-00#J5CT-ND
  别名：RJK0654DPB-00#J5CT
  RJK0654DPB00J5
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 30A（Ta） 55W（Tc） LFPAK
  
  型号：RJK0852DPB-00#J5
  仓库库存编号：RJK0852DPB-00#J5CT-ND
  别名：RJK0852DPB-00#J5CT
  RJK0852DPB00J5
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V 30A WPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Ta） 55W（Tc） 8-WPAK
  
  型号：RJK0659DPA-00#J5A
  仓库库存编号：RJK0659DPA-00#J5A-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 30A（Ta） 200W（Tc） TO-3P
  
  型号：RJK6018DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJK6018DPK-00#T0-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 30A TO3PFM
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 30A（Ta） 60W（Tc） TO-3PFM
  
  型号：RJK6018DPM-00#T1
  仓库库存编号：RJK6018DPM-00#T1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 30A（Ta） 200W（Tc） TO-3P
  
  型号：RJL6020DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJL6020DPK-00#T0-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 30A（Ta） PG-TO251-3
  
  型号：IPS20N03L G
  仓库库存编号：IPS20N03L G-ND
  别名：IPS20N03LGX
  IPS20N03LGXK
  SP000064380
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
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