规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(63)
分立半导体产品
(63)
筛选品牌
Diodes Incorporated (2)
Infineon Technologies (1)
ON Semiconductor (24)
Renesas Electronics America (7)
Rohm Semiconductor (1)
Texas Instruments (23)
Toshiba Semiconductor and Storage (5)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Texas Instruments
MOSFET N-CH 80V 100A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.1W（Ta），195W（Tc） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD19502Q5B
仓库库存编号：
296-37194-1-ND
别名：296-37194-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
含铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.1W（Ta），195W（Tc） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD18540Q5BT
仓库库存编号：
296-37963-1-ND
别名：296-37963-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
含铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.2W（Ta），96W（Tc） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD19533Q5A
仓库库存编号：
296-37479-1-ND
别名：296-37479-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
含铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 100W（Tc） DPAK+
型号：
TK100S04N1L,LQ
仓库库存编号：
TK100S04N1LLQCT-ND
别名：TK100S04N1LLQCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 100A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Ta） 118W（Tc） TO-220-3
型号：
CSD19534KCS
仓库库存编号：
296-38676-5-ND
别名：296-38676-5
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
含铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 53A 8VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.2W（Ta） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD17570Q5B
仓库库存编号：
296-39993-1-ND
别名：296-39993-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
含铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Ta） 2.3W PowerDI5060-8
型号：
DMT4002LPS-13
仓库库存编号：
DMT4002LPS-13-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 100A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Ta） 1.5W（Ta），119W（Tc） TO-262
型号：
N0434N-S23-AY
仓库库存编号：
N0434N-S23-AY-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Ta） 1.5W（Ta），83W（Tc） 8-HVSON（5.4x5.15）
型号：
UPA2765T1A-E2-AY
仓库库存编号：
UPA2765T1A-E2-AY-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Ta） 2.6W（Ta）, 138W（Tc） PowerDI5060-8
型号：
DMTH6004LPSQ-13
仓库库存编号：
DMTH6004LPSQ-13-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 60V 100A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 60V 100A（Ta） 1.5W（Ta），156W（Tc） TO-262
型号：
N0603N-S23-AY
仓库库存编号：
N0603N-S23-AY-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 100A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Ta） 2.1W（Ta）, 110W（Tc） TO-220-3
型号：
NDPL100N10BG
仓库库存编号：
NDPL100N10BG-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 100A（Ta） 3.2W（Ta），195W（Tc） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD16570Q5B
仓库库存编号：
CSD16570Q5B-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
含铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 100A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 100A（Ta） 110W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
NDBA100N10BT4H
仓库库存编号：
NDBA100N10BT4H-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 100A ATPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 90W（Tc） ATPAK
型号：
ATP401-TL-H
仓库库存编号：
ATP401-TL-H-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Ta） 1.5W（Ta），119W（Tc） TO-220
型号：
N0412N-S19-AY
仓库库存编号：
N0412N-S19-AY-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
无铅
搜索
Texas Instruments
N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.1W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
型号：
CSD16401Q5T
仓库库存编号：
CSD16401Q5T-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
无铅
搜索
Texas Instruments
N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.2W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
型号：
CSD16415Q5T
仓库库存编号：
CSD16415Q5T-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 60V 100A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Ta） 1.5W（Ta），156W（Tc） TO-220-3
型号：
N0602N-S19-AY
仓库库存编号：
N0602N-S19-AY-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 100A
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Ta） 1.65W（Ta），90W（Tc） TO-262-3
型号：
2SK4066-1E
仓库库存编号：
2SK4066-1E-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 100A
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 1.65W（Ta），90W（Tc） TO-263-2
型号：
2SK4066-DL-1E
仓库库存编号：
2SK4066-DL-1E-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V 100A
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 1.65W（Ta），90W（Tc） TO-263-2
型号：
2SK4065-DL-1E
仓库库存编号：
2SK4065-DL-1E-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Ta） 1.75W（Ta），90W（Tc） TO-220-3
型号：
2SK4094-1E
仓库库存编号：
2SK4094-1E-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 100A（Ta） 1.75W（Ta），75W（Tc） TO-220-3
型号：
2SK4171
仓库库存编号：
869-1048-ND
别名：869-1048
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 100A ATPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Ta） 60W（Tc） ATPAK
型号：
ATP204-TL-H
仓库库存编号：
869-1080-1-ND
别名：869-1080-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
无铅
搜索
1
2
3
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
