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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.9A（Tc） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS2572
  仓库库存编号：FDS2572CT-ND
  别名：FDS2572CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.9A（Tc）,
• 无铅
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• Cree/Wolfspeed
  MOSFET N-CH 1700V 4.9A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 4.9A（Tc） 69W（Tc） TO-247-3
  
  型号：C2M1000170D
  仓库库存编号：C2M1000170D-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.9A（Tc）,
• 无铅
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 4.9A（Tc） 750mW（Ta） SOT-23
  
  型号：TSM2312CX RFG
  仓库库存编号：TSM2312CX RFGTR-ND
  别名：TSM2312CX RFGTR
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.9A（Tc）,
• 无铅
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 4.9A（Tc） 750mW（Ta） SOT-23
  
  型号：TSM2312CX RFG
  仓库库存编号：TSM2312CX RFGCT-ND
  别名：TSM2312CX RFGCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.9A（Tc）,
• 无铅
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 4.9A（Tc） 750mW（Ta） SOT-23
  
  型号：TSM2312CX RFG
  仓库库存编号：TSM2312CX RFGDKR-ND
  别名：TSM2312CX RFGDKR
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.9A（Tc）,
• 无铅
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 4.9A（Tc） 1.25W（Ta） SOT-23
  
  型号：TSM2314CX RFG
  仓库库存编号：TSM2314CX RFGTR-ND
  别名：TSM2314CX RFGTR
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.9A（Tc）,
• 无铅
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 4.9A（Tc） 1.25W（Ta） SOT-23
  
  型号：TSM2314CX RFG
  仓库库存编号：TSM2314CX RFGCT-ND
  别名：TSM2314CX RFGCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.9A（Tc）,
• 无铅
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 4.9A（Tc） 1.25W（Ta） SOT-23
  
  型号：TSM2314CX RFG
  仓库库存编号：TSM2314CX RFGDKR-ND
  别名：TSM2314CX RFGDKR
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.9A（Tc）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.9A（Tc） 1.3W（Ta），1.7W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2334DS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2334DS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2334DS-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.9A（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 4.9A TO220-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 4.9A（Tc） 28W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R600P6
  仓库库存编号：IPA60R600P6-ND
  别名：IPA60R600P6XKSA1
  SP001017070
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.9A（Tc）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 450V 4.9A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 4.9A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF734
  仓库库存编号：IRF734-ND
  别名：*IRF734
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.9A（Tc）,
• 含铅
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 4.9A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 4.9A（Tc） 1.75W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：PMN34UN,135
  仓库库存编号：568-7420-1-ND
  别名：568-7420-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.9A（Tc）,
• 无铅
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 4.9A（Tc） 1.9W（Tc） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：PMV40UN,215
  仓库库存编号：568-2355-1-ND
  别名：568-2355-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.9A（Tc）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 450V 4.9A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 450V 4.9A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI744G
  仓库库存编号：IRFI744G-ND
  别名：*IRFI744G
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.9A（Tc）,
• 含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 450V 4.9A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 450V 4.9A（Tc） I2PAK
  
  型号：IRF734L
  仓库库存编号：IRF734L-ND
  别名：*IRF734L
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.9A（Tc）,
• 含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 450V 4.9A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 450V 4.9A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF734PBF
  仓库库存编号：IRF734PBF-ND
  别名：*IRF734PBF
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.9A（Tc）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 450V 4.9A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 450V 4.9A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI744GPBF
  仓库库存编号：IRFI744GPBF-ND
  别名：*IRFI744GPBF
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.9A（Tc）,
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