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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 163A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 163A (Tc) 117W（Tc） DPAK
  
  型号：NVD5C434NT4G
  仓库库存编号：NVD5C434NT4GOSCT-ND
  别名：NVD5C434NT4GOSCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 163A (Tc),
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  PT9 30V/16V NCH POWERTRENCH MOSF
  详细描述：表面贴装 N 沟道 163A (Tc) 75W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS2D4N03S
  仓库库存编号：FDMS2D4N03S-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 163A (Tc),
• 无铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 163A SP6
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 163A (Tc) 1136W（Tc） SP6
  
  型号：APTM50DAM19G
  仓库库存编号：APTM50DAM19G-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 163A (Tc),
• 
  
  无铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 163A SP6
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 163A (Tc) 1136W（Tc） SP6
  
  型号：APTM50SKM19G
  仓库库存编号：APTM50SKM19G-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 163A (Tc),
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  无铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 163A J3
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 163A (Tc) 1136W（Tc） 模块
  
  型号：APTM50UM19SG
  仓库库存编号：APTM50UM19SG-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 163A (Tc),
• 无铅
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