规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.6A(Ta),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.6A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7852DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7852DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7852DP-T1-E3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.6A(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 7.6A
详细描述:表面贴装 P 沟道 7.6A(Ta) 730mW(Ta) U-DFN2020-6(F 类)
型号:
DMP2023UFDF-7
仓库库存编号:
DMP2023UFDF-7DICT-ND
别名:DMP2023UFDF-7DICT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.6A(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 7.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.6A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS8449
仓库库存编号:
FDS8449CT-ND
别名:FDS8449CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.6A(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.6A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS3580
仓库库存编号:
FDS3580FSCT-ND
别名:FDS3580FSCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.6A(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 7.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.6A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS8449_F085
仓库库存编号:
FDS8449_F085CT-ND
别名:FDS8449_F085CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.6A(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET ARRAY N-CH 60V 7.6A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 7.6A (Ta) 1.4W, 1.9W Surface Mount 8-SO
型号:
DMTH6016LSDQ-13
仓库库存编号:
DMTH6016LSDQ-13DICT-ND
别名:DMTH6016LSDQ-13DICT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.6A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.6A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7852DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7852DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7852DP-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.6A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.6A(Ta) 3.2W(Ta),22W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS5826NLTWG
仓库库存编号:
NVTFS5826NLTWGOSCT-ND
别名:NVTFS5826NLTWGOSCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.6A(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN1616-
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.6A(Ta) 1.7W(Ta) U-DFN1616-6
型号:
DMT3020LFCL-7
仓库库存编号:
DMT3020LFCL-7-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.6A(Ta),
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel 7.6A (Ta) Surface Mount 8-SO
型号:
DMTH6016LSD-13
仓库库存编号:
DMTH6016LSD-13-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.6A(Ta),
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A U8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.6A(Ta) 3.2W(Ta),22W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS5826NLWFTWG
仓库库存编号:
NVTFS5826NLWFTWG-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.6A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A U8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.6A(Ta) 3.2W(Ta),22W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS5826NLWFTAG
仓库库存编号:
NVTFS5826NLWFTAG-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.6A(Ta),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 400V 7.6A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 400V 7.6A(Ta) 32W(Tc) TO-220FL
型号:
RJK4007DPP-M0#T2
仓库库存编号:
RJK4007DPP-M0#T2-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.6A(Ta),
无铅
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