规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Ta）,
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Diodes Incorporated
MOSFET N CH 60V 20A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 42W（Tc） TO-252-3
型号：
DMN6040SK3-13
仓库库存编号：
DMN6040SK3-13DICT-ND
别名：DMN6040SK3-13DICT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Ta）,
含铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 36V 20A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 4.2W（Ta） 8-SOIC
型号：
AO4314
仓库库存编号：
785-1548-1-ND
别名：785-1548-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Ta） 165W（Tc） I2PAK
型号：
TK20C60W,S1VQ
仓库库存编号：
TK20C60WS1VQ-ND
别名：TK20C60W,S1VQ(S
TK20C60WS1VQ
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7832TRPBF
仓库库存编号：
IRF7832PBFCT-ND
别名：*IRF7832TRPBF
IRF7832PBFCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF3717
仓库库存编号：
IRF3717-ND
别名：*IRF3717
SP001561700
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Ta）,
含铅
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 20V 48A 6SON
详细描述：P 沟道 20A（Ta） 2.9W（Ta） 6-WSON（2x2）
型号：
CSD25310Q2
仓库库存编号：
296-38915-1-ND
别名：296-38915-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Ta）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 20V 20A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
型号：
AO4402
仓库库存编号：
785-1549-1-ND
别名：785-1549-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Ta）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 12V 20A 8DFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 20A（Ta） 5W（Ta） 8-DFN（2x2）
型号：
AON2411
仓库库存编号：
785-1664-1-ND
别名：785-1664-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 700mW（Ta），19W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
型号：
TPN6R303NC,LQ
仓库库存编号：
TPN6R303NCLQCT-ND
别名：TPN6R303NCLQCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 20A DPAK-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 27W（Tc） DPAK
型号：
TK20P04M1,RQ(S
仓库库存编号：
TK20P04M1RQ(S-ND
别名：TK20P04M1RQ(S
TK20P04M1RQS
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 1.36W（Ta），60W（Tj） DPAK-3
型号：
NTDV20N06LT4G-VF01
仓库库存编号：
NTDV20N06LT4G-VF01-ND
别名：NTDV20N06LT4G
NTDV20N06LT4G-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 1.88W（Ta），60W（Tj） DPAK-3
型号：
NTDV20N06T4G-VF01
仓库库存编号：
NTDV20N06T4G-VF01-ND
别名：NTDV20N06T4G
NTDV20N06T4G-ND
NVD5484NLT4G-VF01
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 40V 20A DPAK-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 20A（Ta） 41W（Tc） DPAK+
型号：
TJ20S04M3L(T6L1,NQ
仓库库存编号：
TJ20S04M3L(T6L1NQ-ND
别名：TJ20S04M3L(T6L1NQ
TJ20S04M3LT6L1NQ
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 20A DPAK-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 38W（Tc） DPAK+
型号：
TK20S04K3L(T6L1,NQ
仓库库存编号：
TK20S04K3L(T6L1NQ-ND
别名：TK20S04K3L(T6L1NQ
TK20S04K3LT6L1NQ
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 38W（Tc） DPAK+
型号：
TK20S06K3L(T6L1,NQ
仓库库存编号：
TK20S06K3L(T6L1NQ-ND
别名：TK20S06K3L(T6L1NQ
TK20S06K3LT6L1NQ
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Ta）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOP
型号：
RJK0349DSP-00#J0
仓库库存编号：
RJK0349DSP-00#J0CT-ND
别名：RJK0349DSP-00#J0CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 45V 20A TCPT3
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 20W（Ta） TCPT3
型号：
RSY200N05TL
仓库库存编号：
RSY200N05TLCT-ND
别名：RSY200N05TLCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Ta）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 80V 20A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 45W（Tc） LFPAK
型号：
RJK0851DPB-00#J5
仓库库存编号：
RJK0851DPB-00#J5TR-ND
别名：RJK0851DPB-00#J5-ND
RJK0851DPB-00#J5TR
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 20A TCPT3
详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 20A（Ta） 20W（Tc） TCPT3
型号：
RZY200P01TL
仓库库存编号：
RZY200P01TLCT-ND
别名：RZY200P01TLCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Ta）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V 20A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 20A（Ta） 55W（Tc） LFPAK
型号：
RJK1052DPB-00#J5
仓库库存编号：
RJK1052DPB-00#J5TR-ND
别名：RJK1052DPB-00#J5-ND
RJK1052DPB-00#J5TR
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 20A 8SOP-ADV
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 20A（Ta） 1.6W（Ta），32W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPCA8064-H,LQ(CM
仓库库存编号：
TPCA8064-HLQ(CM-ND
别名：TPCA8064-HLQ(CM
TPCA8064HLQCM
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Ta）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 20A（Ta） 55W（Tc） LFPAK
型号：
RJK1054DPB-00#J5
仓库库存编号：
RJK1054DPB-00#J5TR-ND
别名：RJK1054DPB-00#J5-ND
RJK1054DPB-00#J5TR
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Ta）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 200V 20A WPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 65W（Tc） WPAK（3F）（5x6）
型号：
RJK2076DPA-00#J5A
仓库库存编号：
RJK2076DPA-00#J5A-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Ta）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 200V 20A WPAK(3F)
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 65W（Ta） WPAK（3F）（5x6）
型号：
RJK2075DPA-00#J5A
仓库库存编号：
RJK2075DPA-00#J5A-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 20A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 165W（Tc） D2PAK
型号：
TK20G60W,RVQ
仓库库存编号：
TK20G60WRVQCT-ND
别名：TK20G60WRVQCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Ta）,
无铅
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