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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 9.2A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF520PBF
  仓库库存编号：IRF520PBF-ND
  别名：*IRF520PBF
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.2A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 900V 9.2A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 9.2A（Tc） 200W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW11NK90Z
  仓库库存编号：497-6198-5-ND
  别名：497-6198-5
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.2A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 9.2A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL520PBF
  仓库库存编号：IRL520PBF-ND
  别名：*IRL520PBF
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.2A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 9.2A（Tc） 170W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRFSL9N60APBF
  仓库库存编号：IRFSL9N60APBF-ND
  别名：*IRFSL9N60APBF
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.2A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.2A（Tc） 74W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R450E6ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R450E6ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R450E6ATMA1CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.2A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 9.2A（Tc） 170W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB9N60APBF
  仓库库存编号：IRFB9N60APBF-ND
  别名：*IRFB9N60APBF
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.2A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 9.2A（Tc） 74W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R450E6
  仓库库存编号：IPP60R450E6-ND
  别名：IPP60R450E6XKSA1
  SP000842486
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.2A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.2A（Tc） 74W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R450E6
  仓库库存编号：IPD60R450E6CT-ND
  别名：IPD60R450E6CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.2A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.2A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS9N60ATRLPBF
  仓库库存编号：IRFS9N60ATRLPBFCT-ND
  别名：IRFS9N60ATRLPBFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.2A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.2A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF520SPBF
  仓库库存编号：IRF520SPBF-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.2A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 9.2A（Tc） 60W（Tc） TO-262-3
  
  型号：IRL520LPBF
  仓库库存编号：IRL520LPBF-ND
  别名：*IRL520LPBF
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.2A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CHANNEL 600V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.2A（Tc） 170W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SIHFS9N60A-GE3
  仓库库存编号：SIHFS9N60A-GE3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.2A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 9.2A（Tc） 30W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R450E6XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R450E6XKSA1-ND
  别名：IPA60R450E6
  IPA60R450E6-ND
  SP000842484
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.2A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 9.2A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF520
  仓库库存编号：IRF520IR-ND
  别名：*IRF520
  IRF520IR
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.2A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 9.2A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL520
  仓库库存编号：IRL520-ND
  别名：*IRL520
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.2A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 9.2A（Tc） 170W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB9N60A
  仓库库存编号：IRFB9N60A-ND
  别名：*IRFB9N60A
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.2A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 9.2A（Tc） 170W（Tc） TO-262-3
  
  型号：IRFSL9N60A
  仓库库存编号：IRFSL9N60A-ND
  别名：*IRFSL9N60A
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.2A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 9.2A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS9N60A
  仓库库存编号：IRFS9N60A-ND
  别名：*IRFS9N60A
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.2A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 9.2A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF520S
  仓库库存编号：IRF520S-ND
  别名：*IRF520S
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.2A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 9.2A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF520STRL
  仓库库存编号：IRF520STRL-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.2A（Tc）,
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  MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 9.2A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF520STRR
  仓库库存编号：IRF520STRR-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.2A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 9.2A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS9N60ATRL
  仓库库存编号：IRFS9N60ATRL-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.2A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 9.2A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS9N60ATRR
  仓库库存编号：IRFS9N60ATRR-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.2A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 9.2A（Tc） 170W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRFSL9N60ATRL
  仓库库存编号：IRFSL9N60ATRL-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.2A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 9.2A（Tc） 170W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRFSL9N60ATRR
  仓库库存编号：IRFSL9N60ATRR-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.2A（Tc）,
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