规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 51A（Tc）,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 51A SOT227
详细描述：底座安装 N 沟道 500V 51A（Tc） 290W（Tc） SOT-227
型号：
APT50M75JLLU2
仓库库存编号：
APT50M75JLLU2-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 51A（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
POWER MOSFET - SIC
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 51A（Tc） 273W（Tc） SOT-227
型号：
APT80SM120J
仓库库存编号：
APT80SM120J-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 51A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 51A（Tc） 82W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ46ZSTRLPBF
仓库库存编号：
IRFZ46ZSTRLPBF-ND
别名：SP001571826
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 51A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 55V 51A（Tc） 80W（Tc） TO-220AB
型号：
IRLZ44ZPBF
仓库库存编号：
IRLZ44ZPBF-ND
别名：*IRLZ44ZPBF
SP001577132
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 51A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 55V 51A（Tc） 80W（Tc） TO-220
型号：
AUIRFZ44Z
仓库库存编号：
AUIRFZ44Z-ND
别名：SP001520460
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 51A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 51A（Tc） 80W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRFZ44ZSTRL
仓库库存编号：
AUIRFZ44ZSTRL-ND
别名：SP001519700
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 51A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 51A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 51A（Tc） 350W（Tc） TO-247-3
型号：
STW55NM60N
仓库库存编号：
497-7622-5-ND
别名：497-7622-5
STW55NM60N-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 51A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 51A（Tc） 180W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
HUF76639S3S
仓库库存编号：
HUF76639S3S-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 51A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 50A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 51A（Tc） 180W（Tc） TO-220AB
型号：
HUFA76639P3
仓库库存编号：
HUFA76639P3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 51A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 51A（Tc） 180W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
HUFA76639S3S
仓库库存编号：
HUFA76639S3S-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 51A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 51A（Tc） 180W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
HUFA76639S3ST
仓库库存编号：
HUFA76639S3ST-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 51A（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 51A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 51A（Tc） 47W（Tc） DPAK
型号：
NTD5805NT4G
仓库库存编号：
NTD5805NT4GOSCT-ND
别名：NTD5805NT4GOSCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 51A（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 51A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 51A（Tc） DPAK
型号：
NTDV5805NT4G
仓库库存编号：
NTDV5805NT4G-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 51A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 51A（Tc） 80W（Tc） D2PAK
型号：
IRLZ44ZS
仓库库存编号：
IRLZ44ZS-ND
别名：*IRLZ44ZS
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 51A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 55V 51A（Tc） 80W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFZ44Z
仓库库存编号：
IRFZ44Z-ND
别名：*IRFZ44Z
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 51A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 55V 51A（Tc） 82W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFZ46Z
仓库库存编号：
IRFZ46Z-ND
别名：*IRFZ46Z
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 51A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 51A（Tc） 80W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ44ZS
仓库库存编号：
IRFZ44ZS-ND
别名：*IRFZ44ZS
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 51A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 55V 51A（Tc） 80W（Tc） TO-262
型号：
IRFZ44ZL
仓库库存编号：
IRFZ44ZL-ND
别名：*IRFZ44ZL
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 51A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 51A（Tc） 82W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ46ZS
仓库库存编号：
IRFZ46ZS-ND
别名：*IRFZ46ZS
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 51A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 55V 51A（Tc） 82W（Tc） TO-262
型号：
IRFZ46ZL
仓库库存编号：
IRFZ46ZL-ND
别名：*IRFZ46ZL
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 51A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 55V 51A（Tc） 80W（Tc） TO-220AB
型号：
IRLZ44Z
仓库库存编号：
IRLZ44Z-ND
别名：*IRLZ44Z
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 51A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 55V 51A（Tc） 80W（Tc） TO-262
型号：
IRLZ44ZL
仓库库存编号：
IRLZ44ZL-ND
别名：*IRLZ44ZL
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 51A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 55V 51A（Tc） 82W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFZ46ZPBF
仓库库存编号：
IRFZ46ZPBF-ND
别名：*IRFZ46ZPBF
SP001571882
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 51A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 55V 51A（Tc） 80W（Tc） TO-262
型号：
IRLZ44ZLPBF
仓库库存编号：
IRLZ44ZLPBF-ND
别名：*IRLZ44ZLPBF
SP001558596
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 51A（Tc）,
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MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 51A（Tc） 82W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ46ZSPBF
仓库库存编号：
IRFZ46ZSPBF-ND
别名：*IRFZ46ZSPBF
SP001550294
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 51A（Tc）,
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