规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 38A(Tc),
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 38A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 38A(Tc) 278W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT38N60BC6
仓库库存编号:
APT38N60BC6-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 38A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 38A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 38A(Tc) 450W(Tc) TO-247
型号:
STW40N95DK5
仓库库存编号:
497-17223-ND
别名:497-17223
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 38A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 38A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 38A(Tc) 450W(Tc) TO-247 长引线
型号:
STWA40N95DK5
仓库库存编号:
497-17224-ND
别名:497-17224
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 38A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 400V 38A
详细描述:表面贴装 N 沟道 38A(Tc) 250W(Tc) D2PAK
型号:
STB45N40DM2AG
仓库库存编号:
497-16133-1-ND
别名:497-16133-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 38A(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 38A(Tc) 355W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT38F50J
仓库库存编号:
APT38F50J-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 38A(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 38A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 38A(Tc) 694W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT8020LFLLG
仓库库存编号:
APT8020LFLLG-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 38A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 38A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 38A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3518TRPBF
仓库库存编号:
IRFR3518TRPBFCT-ND
别名:IRFR3518TRPBFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 38A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 38A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 38A(Tc) 3.1W(Ta),170W(Tc) TO-262
型号:
IRF5210LPBF
仓库库存编号:
IRF5210LPBF-ND
别名:SP001564364
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 38A(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 38A(Tc) 46W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM170N06CP ROG
仓库库存编号:
TSM170N06CP ROGTR-ND
别名:TSM170N06CP ROGTR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 38A(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 38A(Tc) 46W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM170N06CP ROG
仓库库存编号:
TSM170N06CP ROGCT-ND
别名:TSM170N06CP ROGCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 38A(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 38A(Tc) 46W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM170N06CP ROG
仓库库存编号:
TSM170N06CP ROGDKR-ND
别名:TSM170N06CP ROGDKR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 38A(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 38A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 38A(Tc) 27W(Tc) DPAK
型号:
NVD5C684NLT4G
仓库库存编号:
NVD5C684NLT4GOSCT-ND
别名:NVD5C684NLT4GOSCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 38A(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 38A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 38A(Tc) 88W(Tc) DPAK
型号:
BUK9230-55A,118
仓库库存编号:
BUK9230-55A,118-ND
别名:934056243118
BUK9230-55A /T3
BUK9230-55A /T3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 38A(Tc),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 30V 38A 8SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 38A(Tc) 1.6W(Ta),34W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPH6R003NL,LQ
仓库库存编号:
TPH6R003NLLQCT-ND
别名:TPH6R003NLLQCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 38A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 38A 8-MLP
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 38A(Tc) 94W(Tc) Power56
型号:
FDMS36101L_F085
仓库库存编号:
FDMS36101L_F085CT-ND
别名:FDMS36101L_F085CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 38A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 38A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 38A(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP38N15T
仓库库存编号:
IXTP38N15T-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 38A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 38A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 38A(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA38N15T
仓库库存编号:
IXTA38N15T-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 38A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 38A(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXKR40N60C
仓库库存编号:
IXKR40N60C-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 38A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 38A I4-PAC-5
详细描述:通孔 N 沟道 600V 38A(Tc) ISOPLUS i4-PAC?
型号:
FMD40-06KC
仓库库存编号:
FMD40-06KC-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 38A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 38A(Tc) 400W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR44N60
仓库库存编号:
IXFR44N60-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 38A(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 38A ISOTOP
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 38A(Tc) 357W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT38M50J
仓库库存编号:
APT38M50J-ND
别名:APT38M50JMP
APT38M50JMP-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 38A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 38A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 800V 38A(Tc) 735W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK38N80Q2
仓库库存编号:
IXFK38N80Q2-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 38A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 38A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 800V 38A(Tc) 735W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX38N80Q2
仓库库存编号:
IXFX38N80Q2-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 38A(Tc),
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 38A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 800V 38A(Tc) 694W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT8020B2LLG
仓库库存编号:
APT8020B2LLG-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 38A(Tc),
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 38A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 800V 38A(Tc) 735W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN38N80Q2
仓库库存编号:
IXFN38N80Q2-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 38A(Tc),
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