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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 38A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 38A（Tc） 890W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB38N100Q2
  仓库库存编号：IXFB38N100Q2-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
• 无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 38A（Tc） 960W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN44N100Q3
  仓库库存编号：IXFN44N100Q3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 38A（Tc） 3.1W（Ta），170W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRF5210STRL
  仓库库存编号：AUIRF5210STRLTR-ND
  别名：AUIRF5210STRLTR
  SP001519458
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 300V 38A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 38A（Tc） 341W（Tc） TO-247AC
  
  型号：AUIRFP4409
  仓库库存编号：AUIRFP4409-ND
  别名：SP001518024
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 38A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 38A（Tc） 80W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB45NF06
  仓库库存编号：497-5731-1-ND
  别名：497-5731-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 38A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 38A（Tc） 180W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW38NB20
  仓库库存编号：497-2658-5-ND
  别名：497-2658-5
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
• 含铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 24V 38A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24V 38A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD38NH02LT4
  仓库库存编号：497-3160-1-ND
  别名：497-3160-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 24V 38A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 24V 38A（Tc） 40W（Tc） I-Pak
  
  型号：STD38NH02L-1
  仓库库存编号：STD38NH02L-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 38A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 38A（Tc） 280W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP264
  仓库库存编号：IRFP264-ND
  别名：*IRFP264
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
• 含铅
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 38A（Tc） 500W（Tc） SOT-227B
  
  型号：FA38SA50LC
  仓库库存编号：FA38SA50LC-ND
  别名：*FA38SA50LC
  VS-FA38SA50LC
  VS-FA38SA50LC-ND
  VSFA38SA50LC
  VSFA38SA50LC-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
• 含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 38A（Tc） 68W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3303D1STRR
  仓库库存编号：IRL3303D1STRR-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
• 含铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 38A TO-3PF
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 38A（Tc） 100W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF47P06
  仓库库存编号：FQAF47P06-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
• 无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 38A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN38N100Q2
  仓库库存编号：IXFN38N100Q2-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
• 无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 38A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 38A（Tc） 280W（Tc） TO-247AD
  
  型号：IRFP264
  仓库库存编号：IRFP264X-ND
  别名：IRFP264X
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 38A TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 38A（Tc） 8.3W（Ta），136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD50P10-43-E3
  仓库库存编号：SUD50P10-43-E3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 30V 38A 8ULTRASO
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 38A（Tc） 2.1W（Ta），38W（Tc） UltraSO-8?
  
  型号：AOL1413
  仓库库存编号：AOL1413-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 38A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 38A（Tc） 278W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT38N60SC6
  仓库库存编号：APT38N60SC6-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 38A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc）
  
  型号：JAN2N6764
  仓库库存编号：JAN2N6764-ND
  别名：JAN2N6764-MIL
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
• 含铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-254AA
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 38A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
  
  型号：JAN2N6764T1
  仓库库存编号：JAN2N6764T1-ND
  别名：JAN2N6764T1-MIL
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 38A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-3
  
  型号：JANTX2N6764
  仓库库存编号：JANTX2N6764-ND
  别名：JANTX2N6764-MIL
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-254AA
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 38A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
  
  型号：JANTX2N6764T1
  仓库库存编号：JANTX2N6764T1-ND
  别名：JANTX2N6764T1-MIL
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 100V 38A
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 38A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-3
  
  型号：JANTXV2N6764
  仓库库存编号：JANTXV2N6764-ND
  别名：JANTXV2N6764-MIL
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 100V 38A
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 38A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
  
  型号：JANTXV2N6764T1
  仓库库存编号：JANTXV2N6764T1-ND
  别名：JANTXV2N6764T1-MIL
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
• 含铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 100V TO-204AE TO-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 38A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-3
  
  型号：2N6764
  仓库库存编号：2N6764-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 100V 38A TO-204AE
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 38A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-3
  
  型号：2N6764T1
  仓库库存编号：2N6764T1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
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