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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 38A SUPER247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 38A（Tc） 540W（Tc） SUPER-247（TO-274AA）
  
  型号：IRFPS38N60L
  仓库库存编号：IRFPS38N60L-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
• 含铅
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 38A（Tc） 500W（Tc） SOT-227
  
  型号：VS-FA38SA50LCP
  仓库库存编号：VS-FA38SA50LCP-ND
  别名：VSFA38SA50LCP
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 38A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 38A（Tc） 68W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL3303
  仓库库存编号：IRL3303-ND
  别名：*IRL3303
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 38A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3303S
  仓库库存编号：IRL3303S-ND
  别名：*IRL3303S
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 38A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 38A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） TO-262
  
  型号：IRL3303L
  仓库库存编号：IRL3303L-ND
  别名：*IRL3303L
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 38A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 38A（Tc） 68W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL3303D1
  仓库库存编号：IRL3303D1-ND
  别名：*IRL3303D1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 38A（Tc） 68W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3303D1S
  仓库库存编号：IRL3303D1S-ND
  别名：*IRL3303D1S
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 38A（Tc） 68W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3303D1STRL
  仓库库存编号：IRL3303D1STRL-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 38A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3303STRL
  仓库库存编号：IRL3303STRL-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 38A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3303STRR
  仓库库存编号：IRL3303STRR-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 38A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 38A（Tc） 68W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL3303PBF
  仓库库存编号：IRL3303PBF-ND
  别名：*IRL3303PBF
  SP001568314
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 38A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3303SPBF
  仓库库存编号：IRL3303SPBF-ND
  别名：*IRL3303SPBF
  SP001573716
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 38A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 38A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） TO-262
  
  型号：IRL3303LPBF
  仓库库存编号：IRL3303LPBF-ND
  别名：*IRL3303LPBF
  SP001568474
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
• 无铅
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 38A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 38A（Tc） 41.6W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PH16030L,115
  仓库库存编号：PH16030L,115-ND
  别名：934058819115
  PH16030L T/R
  PH16030L T/R-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 38A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 38A（Tc） 110W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU3518-701PBF
  仓库库存编号：IRFU3518-701PBF-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 38A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3303STRRPBF
  仓库库存编号：IRL3303STRRPBF-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 38A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3303STRLPBF
  仓库库存编号：IRL3303STRLPBF-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 38A（Tc） 3.1W（Ta），170W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRF5210S
  仓库库存编号：AUIRF5210S-ND
  别名：SP001519218
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
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