规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.8A(Tc),
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 5.8A(Tc) 140W(Tc) TO-247-3
型号:
STW7NK90Z
仓库库存编号:
497-7624-5-ND
别名:497-7624-5
STW7NK90Z-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.8A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.8A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
FQD7N10LTM
仓库库存编号:
FQD7N10LTMCT-ND
别名:FQD7N10LTMCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.8A(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 5.8A(Tc) 1.56W(Tc) SOT-23
型号:
TSM250N02CX RFG
仓库库存编号:
TSM250N02CX RFGTR-ND
别名:TSM250N02CX RFGTR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.8A(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 5.8A(Tc) 1.56W(Tc) SOT-23
型号:
TSM250N02CX RFG
仓库库存编号:
TSM250N02CX RFGCT-ND
别名:TSM250N02CX RFGCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.8A(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 5.8A(Tc) 1.56W(Tc) SOT-23
型号:
TSM250N02CX RFG
仓库库存编号:
TSM250N02CX RFGDKR-ND
别名:TSM250N02CX RFGDKR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.8A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.8A(Tc) 1.25W(Ta),2.1W(Tc)
型号:
SI2366DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2366DS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2366DS-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.8A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 5.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.8A(Tc) 3.13W(Ta),158W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB6N80TM
仓库库存编号:
FQB6N80TMCT-ND
别名:FQB6N80TMCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.8A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.8A(Tc) 140W(Tc) D2PAK
型号:
STB6NK90ZT4
仓库库存编号:
497-6555-1-ND
别名:497-6555-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.8A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 5.8A(Tc) 140W(Tc) TO-220AB
型号:
STP6NK90Z
仓库库存编号:
497-3199-5-ND
别名:497-3199-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.8A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 5.8A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STP6NK90ZFP
仓库库存编号:
497-12617-5-ND
别名:497-12617-5
STP6NK90ZFP-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.8A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.8A(Tc) 960mW(Ta),1.7W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2305CDS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2305CDS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2305CDS-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.8A(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, DUAL, N-CHANNEL, TRENCH,
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 5.8A (Tc) 620mW Surface Mount 6-TDFN (2x2)
型号:
TSM250N02DCQ RFG
仓库库存编号:
TSM250N02DCQ RFGTR-ND
别名:TSM250N02DCQ RFGTR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.8A(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, DUAL, N-CHANNEL, TRENCH,
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 5.8A (Tc) 620mW Surface Mount 6-TDFN (2x2)
型号:
TSM250N02DCQ RFG
仓库库存编号:
TSM250N02DCQ RFGCT-ND
别名:TSM250N02DCQ RFGCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.8A(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, DUAL, N-CHANNEL, TRENCH,
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 5.8A (Tc) 620mW Surface Mount 6-TDFN (2x2)
型号:
TSM250N02DCQ RFG
仓库库存编号:
TSM250N02DCQ RFGDKR-ND
别名:TSM250N02DCQ RFGDKR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.8A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 5.8A(Tc) 62.5W(Tc) Thin-Pak(8x8)
型号:
IPL65R725CFDAUMA1
仓库库存编号:
IPL65R725CFDAUMA1-ND
别名:SP000949266
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.8A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 900V 5.8A(Tc) 135W(Tc) TO-220AB
型号:
STP6NB90
仓库库存编号:
497-2786-5-ND
别名:497-2786-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.8A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 5.8A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 5.8A(Tc) 68W(Tc) 14-PowerFLAT?(5x5)
型号:
STL7NM60N
仓库库存编号:
497-11043-1-ND
别名:497-11043-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.8A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 5.8A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 5.8A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) I-Pak
型号:
FQU7N10LTU
仓库库存编号:
FQU7N10LTU-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.8A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 5.8A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
FQD7N10LTF
仓库库存编号:
FQD7N10LTF-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.8A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 5.8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 5.8A(Tc) 158W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP6N80
仓库库存编号:
FQP6N80-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.8A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 900V 5.8A(Tc) 167W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP6N90
仓库库存编号:
FQP6N90-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.8A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 5.8A(Tc) 3.13W(Ta),167W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB6N90TM_AM002
仓库库存编号:
FQB6N90TM_AM002-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.8A(Tc),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 5.8A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 5.8A(Tc) 55W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF12N60T
仓库库存编号:
FQPF12N60T-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.8A(Tc),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 5.8A(Tc) 185W(Tc) TO-3P
型号:
FQA5N90
仓库库存编号:
FQA5N90-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.8A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 5.8A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 5.8A(Tc) 55W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF12N60
仓库库存编号:
FQPF12N60-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.8A(Tc),
无铅
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