规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 300mA(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 300mA(Tc) 3.3W(Tc) SOT-223
型号:
STN1NK60Z
仓库库存编号:
497-3523-1-ND
别名:497-3523-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 300mA(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 0.3A TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 300mA(Tc) 3W(Tc) TO-92-3
型号:
STQ1NK80ZR-AP
仓库库存编号:
497-6197-1-ND
别名:497-6197-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 300mA(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 300mA(Tc) 1W(Ta),3W(Tc) TO-92-3
型号:
FQN1N60CTA
仓库库存编号:
FQN1N60CTACT-ND
别名:FQN1N60CTACT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 300mA(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 300mA(Tc) 3W(Tc) TO-92-3
型号:
STQ1NK60ZR-AP
仓库库存编号:
497-12343-3-ND
别名:497-12343-3
STQ1NK60ZRAP
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 300mA(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 300MA 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 300mA(Tc) 2W(Tc) 8-SO
型号:
STS1HNK60
仓库库存编号:
497-3530-1-ND
别名:497-3530-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 300mA(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 300mA(Tc) 800mW(Ta) SOT-223
型号:
MMFT960T1
仓库库存编号:
MMFT960T1OSCT-ND
别名:MMFT960T1OSCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 300mA(Tc),
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 300mA(Tc) 800mW(Ta) SOT-223
型号:
MMFT960T1G
仓库库存编号:
MMFT960T1GOSCT-ND
别名:MMFT960T1GOS
MMFT960T1GOS-ND
MMFT960T1GOSCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 300mA(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 600V 300mA(Tc) 1W(Ta),3W(Tc) TO-92-3
型号:
FQN1N60CBU
仓库库存编号:
FQN1N60CBU-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 300mA(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 4000V .3A PLUS 220
详细描述:表面贴装 N 沟道 4000V 300mA(Tc) 130W(Tc) PLUS-220SMD
型号:
IXTV03N400S
仓库库存编号:
IXTV03N400S-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 300mA(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 4000V 300MA I4PAK
详细描述:通孔 N 沟道 4000V 300mA(Tc) 70W(Tc) ISOPLUS i4-PAC?
型号:
IXTF03N400
仓库库存编号:
IXTF03N400-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 300mA(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223-4
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 300mA(Tc) 2W(Tc) SOT-223(TO-261)
型号:
NDT02N60ZT3G
仓库库存编号:
NDT02N60ZT3G-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 300mA(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223-4
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 300mA(Tc) 2W(Tc) SOT-223(TO-261)
型号:
NDT02N60ZT1G
仓库库存编号:
NDT02N60ZT1G-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 300mA(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 300MA TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 60V 300mA(Tc) 830mW(Ta) TO-92-3
型号:
2N7000,126
仓库库存编号:
2N7000,126-ND
别名:2N7000 AMO
2N7000 AMO-ND
934003460126
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 300mA(Tc),
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