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• EPC
  TRANS GAN 100V 3MOHM BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2022
  仓库库存编号：917-1133-1-ND
  别名：917-1133-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Ta）,
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• EPC
  TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2023ENGR
  仓库库存编号：917-EPC2023ENGRCT-ND
  别名：917-EPC2023ENGRCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Ta）,
• 无铅
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• EPC
  MOSFET NCH 40V 60A DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2024
  仓库库存编号：917-1106-1-ND
  别名：917-1106-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Ta）,
• 无铅
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 60A 8-SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 1.6W（Ta），64W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH1R403NL,L1Q
  仓库库存编号：TPH1R403NLL1QCT-ND
  别名：TPH1R403NL,L1QCT
  TPH1R403NL,L1QCT-ND
  TPH1R403NLL1QCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Ta）,
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• Vicor Corporation
  MOSFET N-CH 5V 60A 3LGA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 3.1W（Ta） 3-LGA（4.1x8）
  
  型号：PI5101-01-LGIZ
  仓库库存编号：1102-1078-5-ND
  别名：1102-1078-5
  PI5101-00-LGIZ
  PI510101LGIZ
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Ta）,
• 无铅
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• EPC
  TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2020ENGR
  仓库库存编号：917-EPC2020ENGRCT-ND
  别名：917-EPC2020ENGRCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Ta）,
• 无铅
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• EPC
  TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2023ENG
  仓库库存编号：917-EPC2023ENG-ND
  别名：917-EPC2023ENG
  EPC2023ENGRC2
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Ta）,
• 无铅
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• EPC
  TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2021ENG
  仓库库存编号：917-EPC2021ENG-ND
  别名：917-EPC2021ENG
  EPC2021ENGRB3
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 60A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 60A（Ta） 60W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP7030BL
  仓库库存编号：FDP7030BLFS-ND
  别名：FDP7030BL-ND
  FDP7030BLFS
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Ta）,
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  无铅
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 3W（Ta），53W（Tc） 8-VSONP（3x3.15）
  
  型号：CSD17577Q5AT
  仓库库存编号：296-38337-1-ND
  别名：296-38337-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Ta）,
• 无铅
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 2.8W（Ta），108W（Tc） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD17575Q3T
  仓库库存编号：296-37961-1-ND
  别名：296-37961-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 60A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 60W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB7030BL
  仓库库存编号：FDB7030BLCT-ND
  别名：FDB7030BLCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Ta）,
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• EPC
  TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2024ENGR
  仓库库存编号：917-EPC2024ENGRCT-ND
  别名：917-EPC2024ENGRCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 2.4W（Ta），150W（Tj） D2PAK
  
  型号：NTB60N06T4G
  仓库库存编号：NTB60N06T4GOSCT-ND
  别名：NTB60N06T4GOSCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 60A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 63W（Tc） DPAK
  
  型号：TK60P03M1,RQ(S
  仓库库存编号：TK60P03M1RQ(S-ND
  别名：TK60P03M1RQ(S
  TK60P03M1RQS
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60A（Ta） 60W（Tc） ATPAK
  
  型号：NVATS4A103PZT4G
  仓库库存编号：NVATS4A103PZT4G-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Ta）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 60A（Ta） 65W（Tc） LFPAK
  
  型号：RJK0328DPB-01#J0
  仓库库存编号：RJK0328DPB-01#J0TR-ND
  别名：RJK0328DPB-01#J0TR
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 60A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 60A（Ta） 88W（Tc） DPAK+
  
  型号：TK60S06K3L(T6L1,NQ
  仓库库存编号：TK60S06K3L(T6L1NQ-ND
  别名：TK60S06K3L(T6L1NQ
  TK60S06K3LT6L1NQ
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 40V 60A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 60A（Ta） 90W（Tc） DPAK+
  
  型号：TJ60S04M3L(T6L1,NQ
  仓库库存编号：TJ60S04M3L(T6L1NQ-ND
  别名：TJ60S04M3L(T6L1NQ
  TJ60S04M3LT6L1NQ
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Ta）,
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  无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 60A（Ta） 72W（Tc） ATPAK
  
  型号：NVATS5A114PLZT4G
  仓库库存编号：NVATS5A114PLZT4G-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 60V 60A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 60A（Ta） 100W（Tc） DPAK+
  
  型号：TJ60S06M3L(T6L1,NQ
  仓库库存编号：TJ60S06M3L(T6L1NQ-ND
  别名：TJ60S06M3L(T6L1NQ
  TJ60S06M3LT6L1NQ
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Ta）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 60A 5-LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 60A（Ta） 65W（Tc） 5-LFPAK
  
  型号：RJK0301DPB-02#J0
  仓库库存编号：RJK0301DPB-02#J0-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Ta）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 60A 5LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 30W（Tc） LFPAK
  
  型号：HAT2164H-EL-E
  仓库库存编号：HAT2164H-EL-E-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Ta）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 20V 60A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 30W（Tc） LFPAK
  
  型号：HAT2160H-EL-E
  仓库库存编号：HAT2160H-EL-E-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 75V 60A TO-220ML
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 2W（Ta），30W（Tc） TO-220ML
  
  型号：BMS4007-1E
  仓库库存编号：BMS4007-1E-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Ta）,
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